삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인 건설에 들어간다.
28일 오전 중국 산시성 시안에서 후허핑 산시성 성위서기, 노영민 주중 한국대사, 삼성전자 김기남 사장 등 관계자가 참석한 가운데 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식을 가졌다고 밝혔다.
지난해 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 MOU를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억 달러가 투입될 예정으로 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응할 예정이다.
특히 이번 2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT업체들의 생산기지가 집중되어 있는 중국시장에서 제조 경쟁력 강화 및 시장 요구에 보다 원활히 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
또한 이번 추가 투자로 시안시를 비롯한 산시성 지역 경제 활성화 및 중국 서부지역 산업에도 긍정적 파급효과가 예상된다.
삼성전자 시안 반도체 사업장은 2012년 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 2014년 1세대 V-NAND 양산 및 2015년 後(후)공정 라인 완공, 2018년 2기 증설까지 지속적인 투자가 이뤄지고 있다.
