◆…사진제공:삼성전자
삼성전자가 14일(현지시간) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2019'를 개최, 차세대 3나노 GAA 공정과 SAFETM-Cloud를 소개했다.
지난해 GAA(Gate-All-Around)를 3나노 공정에 도입하겠다고 공개한데 이어 올해 포럼에서는 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early)의 공정 설계 키트(PDK v0.1, Process Design Kit)를 팹리스 고객들에게 배포했다.
공정 설계 키트는 파운드리 회사의 제조공정에 최적화된 설계를 지원하는 데이터 파일로 제품 설계를 보다 쉽게 할 수 있어 시장 출시까지 소요 기간을 단축하고 경쟁력을 높일 수 있으며 3GAE 공정은 7나노 핀펫 대비 칩 면은 45%, 소비전력은 50% 줄일 수 있는 반면 성능은 35%가량 향상된다.
또한 3나노 공정은 독자적인 MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET) 기술을 통해 차별화된 이점을 팹리스 고객사들에게 제공할 계획으로 GAA 구조를 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는 방식을 사용해 성능과 전력효율을 높일 수 있다.
더불어 팹리스 고객의 편의를 위해 아마존 웹 서비스(AWS), 마이크로소프트(Microsoft), 자동화 설계 툴(EDA) 회사인 케이던스(Cadence), 시놉시스(Synopsys)와 함께 진행하며 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공하는 SAFETM-Cloud 서비스를 시작한다고 밝혔다.
이를 통해 삼성전자와 파트너 사들이 제공하는 공정 설계 키트(PDK), 설계 방법론(DM), 자동화 설계 툴(EDA), 설계 자산(라이브러리, IP) 등을 이용해 투자비용을 줄이고 보다 빠르게 반도체를 제작할 수 있다.
이번 포럼에는 글로벌 팹리스 고객과 파트너사 800여 명이 참가해 인공지능(AI), 5G, 자율 주행, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 반도체 기술을 공유했다.
한편 삼성전자는 전 세계 5개국에서 개최되는 파운드리 포럼 2019를 통해 파트너들과의 유기적인 협력을 확대하며 가장 신뢰받는 파운드리 회사(The Most Trusted Foundry)로서의 비전을 실현해 나갈 계획이다.
