◆…사진:C타임즈
대만 연구진이 광(光 )제어가 가능한 멀티 디지트 메모리(Multi-Digit Memory) 소재를 개발하는데 성공했다고 발표, 차세대 반도체 개발을 선도할 수 있을 것이라는 소식이다.
대만의 경제전문지 C타임즈(Ctimes)는 대만 국립 성공대학(NCKU, Cheng Kung University) 물리학과 잔-치 양(Jan-Chi Yang)과 첸 이-춘(Chen Yi-Chun) 교수팀이 차세대 메모리 소자로 지목되고 있는 비스무트 페라이트(BiFeO3)를 조작하는데 있어 획기적인 전기를 마련했다고 23일 보도했다.
차세대 메모리 소자로 주목되고 있는 BiFeO3 소재는 하나의 메모리 소자에 8개의 숫자(0-7)를 동시에 기록 가능한 다중 숫자 메모리 소재로 종래의 반도체는 1개의 소자에 0과1, 즉 2개의 숫자만 기록이 가능했다.
따라서 다중 숫자 메모리 소자는 저장된 정보의 밀도를 크게 높일 수 있어 다이의 크기를 크게 축소할 수 있으며 특히 연구팀이 비접촉식 광 제어 기술을 성공적으로 개발함으로써 메모리 숫자는 동작전류도 크게 줄일 수 있다.
또한 인공지능(AI) 개발과 클라우드 컴퓨팅에 광 제어 다중 숫자 메모리를 적용하면 데이터를 읽어 들이는데 필요한 시간을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 계산 효율성도 향상시킬 수 있어 곧 도래할 다기능 나노 디바이스의 소형화 추세에도 혁명적인 돌파구가 될 것이라는 기대감도 있다. 연구결과는 지난 6일, 권위 있는 네이처 머티리얼즈(Nature Materials)에 게시됐다.
사회적 요구에 따라 IoT(사물인터넷), 클라우드 컴퓨팅, 인공지능 및 빅데이터 분석과 같은 빠르고 자동화된 기술이 급성장 하고 있으며 이러한 정보를 처리하고 데이터를 저당하는 것 또한 핵심적인 분야의 하나이다.
대용량, 소형화, 초고속, 에너지 절약 및 안정적인 저장 기술의 확보는 초고속 컴퓨팅 플랫폼을 구축하는데 핵심적인 요소라 할 수 있다. 전통적인 메모리(저장) 기본단위는 0과1 두 가지 논리 상태로 구성되기 때문에 비슷한 다이 크기에서 메모리 밀도를 증가시키기 위해서는 소자의 크기를 줄이는 방법밖에 없지만 결국 한계에 도달하게 된다.
따라서 더 많은 로직과 새로운 접근 방법을 통한 기술개발만이 한계를 극복할 수 있는 유일한 길로 NCKU 연구자들의 업적은 지적한 요구사항을 해결할 수 있는 새로운 솔루션을 제공할 것으로 기대된다.
