◆…사진제공:삼성전자
삼성전자가 세계 최초로 반도체의 공정 미세화 한계를 극복한 '6세대(1xx단) 256Gb(기가비트) 3비트 V낸드' 기반 기업용 PC SSD를 양산한다.
100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일공정(1 Etching Step)을 통해 속도·생산성·절전 특성을 동시에 향상한 역대 최고 경쟁력을 갖췄으며 기업용 250GB SATA PC SSD 양산을 시작으로 하반기 512Gb 3비트 V낸드 기반 SSD와 eUFS 등을 출시할 계획이다.
6세대 V낸드를 통해 역대 최고 데이터 전송 속도와 양산성을 동시에 구현하며 초고적층 3차원 낸드플래시의 새로운 패러다임을 제시한 것으로 피라미드 모양의 3차원 CTF 셀을 최상단에서 최하단까지 수직으로 한 번에 균일하게 뚫는 공정 기술이 적용됐다.
초고난도의 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching) 기술로 5세대 V낸드 보다 단수를 약1.4배 높인 6세대 V낸드 제품이며 전기가 통하는 몰드(Mold) 층을 136단 쌓은 후 미세한 원통형 구멍을 통해 셀 구조물을 연결함으로써 균일한 특성의 3차원 CTF셀을 개발했다.
특히 초고속 설계 기술을 적용해 3비트 V낸드 역대 최고속도(데이터 쓰기시간 450㎲ 이하, 읽기응답 대기시간 45㎲ 이하)를 달성했으며 전 세대 보다 10% 이상 성능을 높이면서도 동작 전압을 15% 이상 줄였다.
또한 6세대 V낸드에서 6.7억 개 미만의 채널 홀로 256Gb 용량을 구현함으로써 5세대 V낸드(9x단, 약9.3억개 채널 홀) 대비 공정 수와 칩 크기를 줄여 생산성도 20% 이상 향상시켰다.
뿐만 아니라 단일공정(1 Etching Step)을 적용해 세 번만 쌓아도 300단 이상의 초고적층 차세대 V낸드를 만들 수 있어 제품 개발 주기를 더 단축할 수 있다.
삼성전자는 차세대 주력 스마트폰이 요구하는 초고속 초절전 특성을 업계 최초로 만족시킴에 따라 향후 글로벌 모바일 시장 선점에 적극 나서는 한편 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도할 계획이다.
