´ë¸¸ÀÇ ÀÌÄÚ³ë¹Íµ¥Àϸ® µî¿¡ µû¸£¸é TSMC ÃÖ°í°æ¿µÀÚ CC ¿þÀÌ(Wei)´Â Áö³ 14ÀÏ ÄÁÆÛ·±½º ÄÝÀ» ÅëÇØ ¡°¿ì¸®ÀÇ N3 ±â¼ú °³¹ßÀÌ »ó´çÇÑ ÁøÀüÀ¸·Î º¸ÀÌ°í ÀÖÀ¸¸ç N5¿Í N7ÀÇ ºñ½ÁÇÑ ´Ü°è¿Í ºñ±³ÇÒ ¶§ ÈξÀ ´õ ¸¹Àº °í°´»çµéÀÌ Âü¿©ÇÏ°í ÀÖ´Ù¡±¶ó°í ¸»Çß´Ù.
¶ÇÇÑ °øÀå°Ç¼³°ú ±â¼ú °³¹ßÀ» À§ÇÑ ÀÚº»Àû ÁöÃâ(CAPEX)¿¡ ½ÃÀå °ü°èÀÚµéÀÌ Àü¸ÁÇÑ 200¾ï ´Þ·¯~220´Þ·¯º¸´Ù ÈξÀ ¸¹Àº 250~280¾ï ´Þ·¯·Î ³ô¿´´Ù°í ¹àÇûÀ¸³ª ÀÎÅÚÀÇ Â÷¼¼´ë ÇÁ·Î¼¼¼¿Í °ü·ÃÀÌ ÀÖ´ÂÁö¿¡ ´ëÇؼ´Â ¾ð±ÞÀ» °ÅºÎÇß´Ù.
±×´Â ÁúÀÇ¿¡ ´ëÇÑ ´äº¯À» ÅëÇØ TSMCÀÇ ÅõÀÚ±Ô¸ð¿Í °µµ´Â º¹ÀâÇÏ°í °í³µµÀÇ ±â¼ú Ư¼º¼º ¿©ÀüÈ÷ ³ôÀº ¼öÁØÀ» À¯ÁöÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç »ý»ê °øÁ¤ Çõ½ÅÀ» À§ÇÑ EUV(±ØÀڿܼ±) ¸®¼Ò±×·¡ÇÇ Àåºñ µµÀÔµµ ¿ÃÇØ ÀÚº»Àû ÁöÃâÀ» ´Ã¸° ÀÌÀ¯ Áß ÀϺζó°í ¹àÇû´Ù.
´õºÒ¾î ´õ ³ôÀº ¼öÁØÀÇ ±â¼ú¿¡ ´ëÇÑ Áý¾àÀûÀÎ ÁöÃâÀÌ ¹Ì·¡ ¼ºÀå µ¿·ÂÀ» Æ÷ÂøÇϴµ¥ ÀûÀýÇÏ´Ù°í ÆÇ´ÜÇϱ⠶§¹®¿¡ 2025³â±îÁö ¸ÅÃâ¾× ´ëºñ CAGR(¿¬Æò±Õ ¼ºÀå·ü) ¸ñÇ¥¸¦ 10~15%·Î »óÇâÁ¶Á¤Çß´Ù°í ¼³¸íÇß´Ù.
ƯÈ÷ TSMC´Â ³»³â±îÁö 3D SoIC(system-on-integrated chips) ÆÐŰ¡ ±â¼úÀ» ÀÌ¿ëÇÑ Á¦Ç°»ý»ê Áغñ¸¦ ¸¶Ä¥ °èȹÀ¸·Î HPC ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡ óÀ½ äÅà µÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù°í ÁÖÀåÇß´Ù.
ÇÑÆí ¾÷°è Àü¹®°¡µéÀº TSMCÀÇ 3nm(³ª³ë¹ÌÅÍ, 1nm´Â10¾ïºÐÀÇ 1m) °øÁ¤°³¹ß »óȲÀº ¿ÃÇØ À§Çè»ý»êÀ» ½ÃÀÛÇÑ ÈÄ ³»³â ÇϹݱ⠾ÖÇÃÀÇ Â÷¼¼´ë ¾ÆÀÌÆù¿ë A16 »ý»ê¿¡ ¸ÂÃç ´ë·®»ý»êÀÌ ½ÃÀÛµÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇÏ°í ÀÖ´Ù.