◆…사진=키파운드리 제공
키파운드리가 저전압 PMIC 용 0.18-micron 30V NON-EPI(Epitaxy) BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 출시한다고 9일 밝혔다.
이번 공정은 고내압, 고신뢰성, 고효율이 요구되는 전력반도체에 적합해 스마트폰과 스마트워치용 DC-DC IC, Charger IC 등 저전압 PMIC의 생산에 사용된다. EPI Layer가 없음에도 기존 EPI BCD 공정과 비교 시 동일 수준의 성능을 보인다는 게 키파운드리의 설명이다.
새 공정을 통해 5~30V 급의 다양한 동작 전압 소자가 지원되며 EPI를 기반으로 양산 중인 기존 0.18-micron BCD 공정과 동일한 Rsp(Specific On-resistance, 단위 면적당 On 저항) 성능이 유지된다.
키파운드리는 "EPI 공정을 진행하지 않는 만큼 공정 효율을 높였으며 5V Power Block 용으로 5V LDMOS 제공을 통한 능률적인 설계를 지원한다"면서 "EPI BCD 공정과 동일한 특성의 Logic 소자를 구현해 양산 중인 0.18-micron BCD 공정의 디지털 라이브러리·IP와 호환이 가능하고 추가 공정없이 MTP(Multi-time Programmable), OTP(One-time Programmable) IP를 사용할 수 있도록 편리성을 도모한 만큼 메모리 기능이 필요한 전력 반도체 등 다양한 애플리케이션에서 응용될 수 있다"고 설명했다.
이 회사는 공정의 개발 단계에서부터 전력 반도체 팹리스 고객과 소통하며 시장에서 필요로 하는 요구 사항을 반영했다. 사용자 편의성 강화를 위해 고객 친화적인 Layout Option과 Design Kit가 제공된다. 회사측은 "새로운 공정은 자동차 전자부품 신뢰성 평가 규정인 AEC-Q100의 Grade-1 규격을 만족해 모바일뿐만 아니라 Motor Driver IC, DC-DC IC 등 차량용 전력 반도체 제품에도 활용 가능하다"고 말했다.
이태종 대표는 "최근 전력 반도체 시장이 빠르게 성장하면서 높은 수준의 신뢰성을 갖추면서도 간소화된 BCD 공정에 대한 파운드리 수요가 증가하고 있다"며 "지속적인 공정 기술 향상으로 최적화된 BCD 공정을 제공해 전력 반도체 설계 기업의 요구를 만족시켜 나갈 것"이라고 말했다.
