삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발, AMD 호환성 검증을 마쳤다고 밝혔다.
유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고 혁신적 설계를 통해 회로 특성을 개선하는 한편 멀티레이어 EUV(극자외선) 기술을 적용, 업계 최고 수준의 집적도로 달성했다.
이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상되었으며 최대 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있고 이전 세대 대비 소비 전력도 약 23% 개선됐다.
삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획으로 내년 양산해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정임을 밝혔다.
