´ë¸¸ÀÇ TSMC(´ë¸¸¹ÝµµÃ¼ÁÖ½Äȸ»ç)°¡ ³»³â 1ºÐ±â 20nm(³ª³ë¹ÌÅÍ) °øÁ¤À» º»°ÝÀûÀ¸·Î µµÀÔ, ¾ÖÇÃÀÇ Â÷±â AP»ý»ê¿¡ ´ëºñÇÏ°í ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î º¸ÀδÙ.
TSMCÀÇ ¿¤¸®ÀÚº£½º ¼± ´ëº¯ÀÎÀº ³»³â 1ºÐ±â 20nm °øÁ¤¿¡ Âø¼ö 2ºÐ±âºÎÅÍ º»°ÝÀûÀÎ »ý»ê¿¡ µé¾î°£´Ù¸ç ÁÖ·ÂÀ¸·Î »ï°Ô µÉ 28nmÀÇ »ý»ê·®º¸´Ù ³·Áö ¾ÊÀ» °ÍÀ̶ó°í 4ÀÏ ¹àÇû´Ù.
¶ÇÇÑ 16nmÇÉÆÖ(FinFET) ±â¼úÀ» 20nm °øÁ¤±îÁö È®´ëÇÒ °ÍÀ̶ó¸ç ´ë¸¸ ³²ºÎ »çÀ̾𽺠ÆÄÅ©¿¡ ÀÖ´Â ÁÖ¿ä »ý»ê¼³ºñ¿Í 95% ÀÌ»ó µ¿ÀÏÇϱ⠶§¹®¿¡ 20nm°øÁ¤À» 16nm °øÁ¤À¸·Î ÀüȯÇϴµ¥ ¾Æ¹«·± ¹®Á¦µµ ¾ø´Ù°í ÁÖÀåÇß´Ù.
Áö³ 3ÀÏ TSMC´Â óÀ½À¸·Î Á¦ 14°øÀå¿¡¼ ¹Ìµð¾î¿ë Ĩ »ý»ê¿¡ µé¾î°¬À¸¸ç ÀÌ °øÀå »çÀå ¿ÕÀ×·©Àº »ý»ê´É·ÂÀ» È®ÀåÇϱâ À§ÇØ 170¾ï2000¸¸ ´Þ·¯¸¦ ÅõÀÔ, 7000¸íÀÇ °í¿ëÀ» ´Ã¸®°Ú´Ù°í ¹ßÇ¥Çß´Ù.
¶ÇÇÑ Áö³ÇØ TSMC ¸ÅÃâÀÇ 42%¸¦ Â÷ÁöÇÑ 14°øÀå¿¡ Àüü ±Ý¾×ÀÇ 90%ÀÎ 153¾ï1800¸¸ ´Þ·¯¸¦ ÅõÀÔÇÏ°Ô µÉ °ÍÀ̶ó°í ¸»Çß´Ù. ¾ÖÇÃÀÇ Â÷±â ÇÁ·Î¼¼¼ »ý»ê¿¡ ´ëºñÇϱâ À§ÇÑ Æ÷¼®À¸·Î ºÐ¼®µÈ´Ù.
ÇÑÆí TSMCÀÇ 14°øÀåÀº 116ÇíŸ(35¸¸Æò)ÀÇ ºÎÁöÀ§¿¡ ¼¼¿öÁ® ÀÖÀ¸¸ç 1´Ü°èºÎÅÍ 4´Ü°è±îÁö´Â 0.13¸¶ÀÌÅ©·Ð¿¡¼ 40nmÁ¦Ç°À» ´ë·®»ý»ê ÁßÀÌÁö¸¸ 5´Ü°è(´ÜÁö)¿¡¼´Â ÃÖ÷´Ü °í±Þ ±â¼ú °³¹ß ¿ª·®À» °È, 16nm °øÁ¤À» Àû¿ëÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.