◆…사진:웨이보(아이빙유조유)
퀄컴의 차세대 스냅드래곤820은 삼성전자 반도체 공정을 이용해 생산할 가능성이 높다는 주장이다.
프로세서 관련 정보제공에 정통한 중국 웨이보 계정 아이빙유조우(i冰宇宙)는 13일, 자신의 계정을 통해 “퀄컴의 스냅드래곤820이 삼성전자 14nm(나노미터, 1nm=10억분의1m) LPP(Low Power Plus)공정에서 생산될 예정이라고 전했다.
또한 “스냅드래곤(SD)820 후속 모델인 SD830의 설계를 이미 시작했으며 역시 삼성전자의 차세대 10nm LPE(Low-Power Early)공정이 적용될 가능성이 높다”고 강조했다.
퀄컴이 기존 TSMC에 위탁생산 중인 AP(애플리케이션프로세서)를 SD820부터 삼성전자의 엑시노스7420을 생산하는 14nm 핀팻 공정을 이용할 것이라는 소문은 점점 사실로 확인되고 있다.
SD820은 빠르면 올해 말, 늦어도 내년 초부터 양산을 시작할 계획이며 초기 프로토타입을 지나 성능을 개선한 버전들이 각종 벤치마크를 통해 등장하고 있다.
한편 삼성전자는 올해 초 10nm 핀팻 노드용 사양을 최종 확정하고 올해 말 시제품 생산에 이어 내년 말까지는 대량생산을 하겠다고 발표한 바 있어 아이빙유조우가 전하는 일정과 상당부분 일치한다.
퀄컴은 이러한 소문들에 대해 일체 언급하지 않은 채 비플래너(non-planar) 핀팻(FinFET) 공정을 통해 생산될 수 있다는 사실만 공개했다. 따라서 삼성전자의 차세대 10nm부터 TSMC의 16nm노드 기술까지 선택의 범위가 넓다는 여운을 남기고 있다.
문제는 최근 불거진 삼성전자 14nm공정에서 생산된 아이폰6S용 A9 칩셋의 성능이다. 고도화된 미세공정이 적용된 AP가 속도도 빠르고 전력소모도 줄어든다는 것이 일반적이지만 삼성전자의 14nm AP는 TSMC의 16nm 공정에서 생산된 제품보다 성능은 물론 배터리 소모량까지 많다는 사실이 확인됐기 때문이다.
중국의 IT전문 보도매체인 마이드라이버스는 13일, 삼성전자의 14nm공정 제품이 TSMC 16nm 제품보다 성능이 떨어지는 이유를 다각적으로 분석하는 장문의 기사를 싣기도 했다.
기사를 요약하면 “양사의 원천기술은 동일하지만 삼성전자가 중간단계를 생략하고 급속하게 14nm 공정으로 이동하면서 최적화가 부족한 반면 TSMC는 차근차근 단계별 공정을 적용한 까닭에 고도화 과정에서의 문제점을 해결했기 때문이었다"는 내용이다.
