°øÁ¤ ¹Ì¼¼È °æÀïÀ» ¹úÀÌ°í ÀÖ´Â ´ë¸¸ÀÇ TSMC°¡ 7nm(³ª³ë¹ÌÅÍ) ½ÃÇè»ý»ê °èȹÀ» õ¸í, »ï¼ºÀüÀÚ¸¦ ±äÀåÄÉ ÇÏ°í ÀÖ´Ù.
´ë¸¸ÀÇ ITÀü¹® µðÁöŸÀÓÁî´Â TSMC ¸ð¸®½º â ȸÀåÀÌ ÁÖÁֵ鿡°Ô º¸³½ º¸°í¼¸¦ Àοë, TSMC°¡ 2017³â »ó¹Ý±â 7nm(1nm´Â 10¾ïºÐÀÇ1m) °øÁ¤À» Àû¿ëÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÇè»ý»ê¿¡ µ¹ÀÔÇÒ ¿¹Á¤À̶ó°í 19ÀÏ º¸µµÇß´Ù.
ÀÌ´Â Áö³ 14ÀÏ, TSMC °øµ¿ ÃÖ°í°æ¿µÀÚ ¸¶Å© ¸®¿ì°¡ ÅõÀÚÀÚ ¹ÌÆÿ¡¼ ¡°ÇöÀç 20¿©°³ ±â¾÷À¸·ÎºÎÅÍ 7nm°øÁ¤ Á¦Ç°À» ¼öÁÖÇßÀ¸¸ç ³»³â »ó¹Ý±â 15°³ ±â¾÷¿¡°Ô °ø±ÞÀÌ ½ÃÀÛµÉ °Í¡±À̶ó°í ¹àÈù °Í°ú °°Àº ¸Æ¶ôÀÌ´Ù.
ÀÌ ÀÚ¸®¿¡¼ ¸®¿ì´Â ³»³â ½ÃÇè»ý»êÀ» ÅëÇØ ¾ÈÁ¤ÀûÀÎ ¼öÀ²À» È®º¸ÇÑ µÚ 2018³â »ó¹Ý±â ´ë·®»ý»êÀ¸·Î À̵¿ÇÏ°Ú´Ù¸ç »ó¼¼ÇÑ »ý»êÀÏÁ¤µµ ¹àÈù ¹Ù ÀÖ´Ù.
TSMCÀÇ 7nm °øÁ¤ ±â¼ú¿¡ ÁÖ¸ñÇÏ´Â ÀÌÀ¯´Â ±âÁ¸ 10nm°øÁ¤ Àåºñ¸¦ 95% ÀÌ»ó ±×´ë·Î »ç¿ëÇÏ´Â ±î´ß¿¡ »ý»êÀÇ ¾ÈÁ¤¼ºÀº ¹°·Ð ¼öÀ²ÀÇ °íµµÈ¸¦ ±âÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Á¡ ¶§¹®ÀÌ´Ù.
¸®¿ì´Â ¡°7nm°øÁ¤Àº 10nm °øÁ¤¿¡ ºñÇØ ¼ÒÀÚÀÇ ¹Ðµµ´Â 60% ÀÌ»ó Çâ»óµÇ°í Àü·Â ¼Òºñ´Â 30~40% °¨¼ÒÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù¡±¸ç ¡°7nm Á¦Ç°Àº ¸ð¹ÙÀÏ°ú °í¼º´É ÄÄÇ»Æÿë Á¦Ç°¿¡, 10nm °øÁ¤ Á¦Ç°Àº ÁÖ·Î ¸ð¹ÙÀÏ ±â±â¸¦ ÁÖ¿ä ´ë»óÀÌ µÉ °Í¡±À̶ó°í ¸»Çß´Ù.
¶ÇÇÑ ¿Ã 1ºÐ±âºÎÅÍ 10nm Á¦Ç°ÀÇ °í°´ ÁÖ¹®ÀÌ ½ÃÀÛµÆÀ¸¸ç 2ºÐ±â¿¡´Â ´õ ¸¹Àº °í°´»çµéÀÇ ÁÖ¹® ÀÖÀ» °ÍÀ¸·Î º¸ÀÌ¸ç ´ë·® ÁÖ¹®Àº ³»³â 2ºÐ±â°¡ µÉ °ÍÀ̶ó°í µ¡ºÙ¿´´Ù.
ÇÑÆí ¿Ü½Å¿¡ ÀÇÇϸé TSMC´Â 7nm ÇÉÆê(FinFET) °øÁ¤À» °³¹ßÇϱâ À§ÇØ ARM°ú Çù·ÂÇØ ³»³â ÃÊ »ý»êÀ» ½ÃÀÛ, 2018³â Ãâ½ÃµÇ´Â ¾ÆÀÌÆù8¿¡ žÀçµÉ °¡´É¼ºÀÌ ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù. ÇÏÁö¸¸ ÇöÀç ÀÏÁ¤´ë·Î¶ó¸é ¾ÆÀÌÆù7S Ç÷¯½º¿¡ žÀçÇÒ °¡´É¼ºµµ Á¡ÃÄÁø´Ù.
¾ÆÀÌÆù6S ½Ã¸®Áî¿¡ žÀçµÈ A9 Ĩ¼ÂÀº TSMCÀÇ 16³ª³ë ¹× »ï¼ºÀüÀÚÀÇ 14³ª³ë °øÁ¤À¸·Î »ý»ê ÁßÀ¸·Î ¿Ã°¡À» Ãâ½ÃµÉ ¾ÆÀÌÆù7¿¡ žÀçµÉ A10 Ĩ¼ÂÀº TSMC°¡ Àü·® °ø±ÞÇÒ °ÍÀ̶ó´Â ¼Ò¹®°ú »ï¼º°ú ÀÎÅÚµµ °øµ¿ »ý»êÇÒ °ÍÀ̶ó´Â °üÃøµµ ÀÖ´Ù.
TSMC¿Í »ï¼ºÀüÀÚ´Â ¿ÃÇØ ¸» °ÅÀÇ µ¿½Ã¿¡ 10³ª³ë ÇÉÆê °øÁ¤À» Àû¿ëÇÑ Á¦Ç°ÀÇ ¾ç»êÀ» ½ÃÀÛÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁö°í ÀÖ´Ù.