◆…사진:IEDM
삼성전자가 반도체분야 최고 권위를 보유한 국제반도체소자학회(IEDM) 컨퍼런스를 통해 카메라 성능을 획기적으로 개선할 수 있는 이미지 센서 기술을 공개했다.
지난 7일(현지시간)부터 11일까지 5일간 미국 몽고메리에서 개최된 IEDM 회의에서 14nm(나노미터, 1nm는 10억분의 1m) 핀팻(FinFET) 공정 기반의 1억4400만 화소 이미지 센서 기술을 발표했다.
연구원들은 '1억 화소 밀도 초과 및 초저전력 3D 스택 CMOS 이미지 센서를 14nm 공정기술 플랫폼'이란 논문을 통해 14nm 공정 제품이 기존 28nm 평면공정을 이용하는 제품에 비해 탁월한 아날로그 특성과 저전력 특성을 나타낸다고 주장했다.
특히 이들은 14nm 핀팻 공정 기술은 1억4400만 화소 센서로 이미지를 10fps(초당 10프레임)으로 촬영하면서도 전력 소비를 42%까지 줄일 수 있는 것은 물론 30~120fps 동영상을 1200만 화소로 읽어 들일 경우에 최대 37%의 전력이 절약된다고 강조했다.
이번에 발표된 연구는 픽셀의 크기에 관련된 것이 아니라 이미지 센서에서 발생하는 아날로그 및 디지털 신호 처리 하드웨어에서 검출된 정보를 증폭시키는 트랜지스터(반도체)를 의미한다.
