삼성전자 이재용 부회장이 3나노 반도체 개발현장 방문으로 새해 첫 업무를 시작했다.
이재용 부회장이 2일 화성사업장 내에 있는 반도체연구소를 찾아 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술을 보고 받고 DS부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다.
새해 첫 경영 행보를 반도체 개발 현장에서 시작한 것은 메모리에 이어 시스템 반도체 분야에서도 세계 1위가 되겠다는 비전을 다시 한 번 임직원과 공유하며 목표달성 의지를 다진 것이라고 할 수 있다.
반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 GAA(Gate-All-Around)를 적용한 3나노 반도체는 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩 면적은 약 35% 이상 줄어드는 반면 소비전력은 50% 감소하고 성능(처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있다.
이 부회장은 “과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다”며 “역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것으로 잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자”고 말했다.
또한 “우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자”고 거듭 강조했다.
