대만 D램 메모리 제조업체 난야가 올해 하반기 10nm(나노미터) 공정을 적용한 D램 생산을 위한 리스크 프로덕션(risk production)에 돌입한다는 소식이다.
대만의 IT 전문 보도 매체 디지타임스는 대만에 본사를 둔 D램 제조사 난야 테크놀로지(Nanya Technology)가 10nm(나노미터, 1nm는 10억분의 1m) 공정을 적용한 D램 기술을 자체개발하고 하반기 위험 생산을 시작할 예정이라고 13일 보도했다.
최근 난야는 투자자 미팅을 통해 올해 하반기 자체 개발한 1세대 10nm 공정을 적용한 시험생산을 위한 준비를 하고 있다고 밝히고 2세대 10nm 공정 개발에 돌입한 상황으로 2022년부터 위험생산을 시작할 예정이라고 밝혔다.
또한, 1세대 10nm 공정을 적용해 8Gb(기가비트) DDR4, LPDDR4 및 DDR5 제품을 제조할 계획이라며 곧 3세대 10nm D램 공정기술을 개발하겠다고 덧붙였다. 이에 따른 투자도 지속적으로 늘려갈 예정이라고 강조했다.
한편 난야는 지금까지 미국 마이크론 테크놀로지(Micron Technology) 라이선스(특허)를 이용해 D램 제조 공정을 개발해 왔다. 지난해 난야의 투자 규모는 1억8400만 달러, 매출액은 2018년 대비 38.9%, 순이익은 75% 감소했다.
다만 올해 매출액은 안정적인 서버 수요증가와 휴대폰의 메모리 용량 증가, PC 및 가전제품 수요증가에 따라 15%~20 증가할 것으로 전망되고 있다.
