◆…사진제공:삼성전자
삼성전자가 업계 최초로 EUV 공정에서 생산한 1세대(1x) 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만 개에 대해 글로벌 고객의 평가를 완료했다.
이로써 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품에서 EUV 공정을 전면 적용함으로써 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 완료, D램의 새로운 패러다임을 제시했다.
EUV 노광 기술은 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄이면서 정확도를 높일 수 있어 성능과 수율을 제고시키는 것은 물론 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.
현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술을 개발 중으로 1세대 10나노급(1x) D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다.
삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.
한편, 삼성전자는 내년부터 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체 간 다양한 표준화 활동을 추진해 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속적으로 높여 나갈 예정이다.
