◆…사진제공:삼성전자
삼성전자가 최신 DDR5 D램 모듈의 성능 극대화와 함께 전력 사용을 최소화할 수 있는 전력관리 반도체(PMIC) 3종을 공개, 시스템반도체 라인업 확대에 나섰다.
지난 2010년 이 분야에 처음 진출한 후 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품, PC, 게임기, 무선 이어폰에 탑재되는 제품을 생산하고 있으며 새롭게 선보인 3종(S2FPD01, S2FPD02, S2FPC01)은 DDR5 D램 모듈에 탑재돼 성능 향상과 함께 동작 전력 감소에 활용된다.
외부 기판에 탑재하던 DDR4 D램과 달리, 최신 DDR5부터는 모듈 기판에 직접 탑재, 하나의 모듈에 위치하기 때문에 전원을 안정적이고 빠르게 공급함으로써 성능 향상과 동시에 오작동을 최소화할 수 있다.
자체 설계 기술인 비동기식 2상 전압 강하 제어 회로(Asynchronous based dual phase buck control scheme)를 적용해 전압의 변화를 실시간으로 빠르게 감지하고 출력 전압을 일정하게 유지할 수 있다.
이에 따라 초고속 DDR5 D램의 데이터 읽기, 쓰기 속도를 더욱 안정적으로 지원하는 것은 물론 기존에 전압을 일정하게 유지하기 위해 탑재하던 적층세라믹콘덴서(MLCC)의 사용량도 줄일 수 있어 D램 모듈 설계 편의성이 높아졌다.
특히 엔터프라이즈용 전력관리 반도체(S2FPD01, S2FPD02)에는 출력 전압을 효율적으로 조정하는 하이브리드 게이트 드라이버(Hybrid Gate Driver) 설계를 통해 전력효율을 업계 표준보다 1% 포인트 높은 91%까지 향상시켰다.
또한, 데스크톱, 랩톱 등 소비자용 DDR5 D램 모듈용 전력관리 반도체(S2FPC01)에는 저전력 90나노(nm, nanometer) 공정을 적용해 칩 면적을 줄였다.
