◆…사진제공:삼성전자
지난 2000년대 초부터 GAA 트랜지스터 구조 연구를 시작해 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용하고 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다. 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음 적용할 예정이다.
화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며 향후 평택캠퍼스까지 확대할 계획이라고 밝혔다.
출하식에는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS 부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다.
파운드리사업부 기술개발실장 정기태 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술 개발 한계를 극복하고 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다.
이어 DS 부문장 경계현 대표이사는 “제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”라며 “GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.
삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.
