삼성·SK, 美반도체법 보조금 받으면 중국 생산 5% 이상 증산 불가

미국 정부에서 주는 반도체 지원 보조금을 받기 위해 기업들이 앞으로 10년 동안 중국에서 반도체 생산량을 범용 반도체는 10%, 첨단 반도체는 5% 이상 늘리지 못하도록 하는 반도체법 세부 규정이 발표됐다.

미국 상무부는 21일(현지시간) 반도체법(CHIPS Act) 지원금이 국가안보를 저해하는 용도로 사용되지 않도록 설정한 가드레일(안전장치) 조항의 세부 규정안을 관보 등을 통해 공개하고 60일 의견수렴을 거쳐 확정한다고 밝혔다.

반도체법은 중국이 간접적인 혜택을 입는 것을 막기 위해 보조금을 받은 기업이 이후 10년간 중국에서 반도체 생산능력을 '실질적으로 확장'(material expansion)하면 보조금 전액을 반환해야 한다고 규정했다.

다만 상무부는 '실질적인 확장'을 양적인 생산능력 확대로 한정하고, 기술 개발을 통해 한 웨이퍼당 생산 규모를 늘리는 것은 생산능력으로 보지 않겠다며 기술적 업그레이드는 규제하지 않기로 했다.

반도체 생산능력의 구체 기준은 반도체 제조 시설의 경우 월별 웨이퍼 수, 반도체 패키지 시설의 경우 월별 패키지 수로 정의했다.

또 상무부는 '중대한 거래 규모'를 10만 달러(약 1억3000만 원)로 정의했다.

이 금액을 넘어설 경우 첨단 반도체의 경우 생산능력을 5% 이상 확장하지 못하게 하고, 이전 세대의 범용(legacy) 반도체는 생산능력을 10% 이상 늘리지 못하게 했다.

상무부는 범용 반도체 기준으로 ▲ 로직 반도체는 28nm(나노미터·10억분의 1m) ▲ D램은 18나노미터 ▲ 낸드플래시는 128단으로 정의했다. 이보다 높은 수준의 반도체를 생산할 경우 새로운 시설의 건설, 새 반도체 제조 능력추가 등을 통해 5% 이상 생산능력을 늘리지 못한다.

상무부는 또 미국 정부의 보조금을 받는 기업에 대해 상무부나 재무부 등의 블랙리스트에 있는 화웨이, YMTC 등 중국 우려 기업과의 공동 연구를 하거나 기술 라이선싱(특허사용계약)을 하는 것을 금지했다.

한국의 경우 삼성전자와 SK하이닉스가 현재 중국에서 비교적 첨단 반도체를 생산하고 있으며, 미국 정부의 보조금을 받을 경우 기술적 수준에 따라 5∼10% 생산시설 확장 제한 조치를 받게 된다.

앞서 상무부가 작년 10월 발표한 대중(對中) 반도체 수출통제는 미국 기업이 ▲ 핀펫(FinFET) 기술 등을 사용한 로직칩(16nm 내지 14nm 이하) ▲ 18nm 이하 D램 ▲ 128단 이상 낸드플래시를 생산할 수 있는 장비·기술을 중국에 판매할 경우 허가를 받도록 해 사실상 수출을 금지했다.

한국 정부는 당시 미국 정부와 협상을 통해 삼성전자와 SK 하이닉스에 대해선 1년 동안은 중국공장 업그레이드에 필요한 장비를 수입해도 된다는 포괄적 허가(license)를 받았다.

삼성전자와 SK 하이닉스는 미국 정부의 허가로 올해 10월까지는 중국공장에서 이들 장비를 계속 수입할 수 있지만 그 이후가 문제여서 한국 정부가 미국과 협의를 이어가고 있다.

상무부는 이날 그동안 반도체법 이행 과정에 파트너 및 동맹과 긴밀히 협의했고 앞으로도 그럴 것이라면서 협의상대국을 한국, 일본, 인도, 영국 순으로 명시했다.

지나 러몬도 상무부 장관은 보도자료에서 "우리는 반도체법이 지원하는 혁신과 기술을 통해 미국과 동맹의 기술 및 국가안보 우위를 확대하려고 한다"며 "가드레일은 우리가 앞으로 수십년간 적대국들에 앞서는 데 도움이 될 것"이라고 밝혔다.