대만 상공시보는 삼성이 수율 문제로 고전하고 있지만, 조기에 3nm(나노미터, 1nm는 10억분의 1m)에 GAA(Gate-All-Around) 아키텍처를 도입했고 대만 TSMC는 올해 2nm 장비 설치에 들어가는 등 경쟁을 벌이고 있다고 보도했다.
여기에 새롭게 파운드리 경쟁력 강화에 나선 인텔로 올해 20A에 리본 FET 아키텍처를 적용해 대량 생산할 계획인 것으로 알려지며 양보없는 치열한 경쟁이 벌어지고 있다고 덧붙였다.
치열한 경쟁에 대응 대만 TSMC도 속도를 높여야 할 필요성을 실감하고 신주의 바오산 P1에 이르면 4월부터 2nm 생산 장비를 도입, 새로운 GAA 아키텍처를 통합하고 2025년 2nm 제품 양산을 목표로 하고 있다고 한다.
GAA 기술은 칩 처리 능력을 1.5~2년 안에 2배로 늘릴 수 있을 지를 결정하는 중요한 요소로 인정된다. 전통적인 핀펫에서 전환, 3nm 칩 부분을 선도하려 했던 삼성전자의 시도는 수율 안정성 문제에 직면해 고객의 선택을 방해하는 동시에 TSMC에는 자신감을 들게 하는 계기가 되었다고 밝혔다.
인텔은 상반기에 인텔 20A, 하반기에 인텔 18A를 출시하는 등 추격에 박차를 가하고 있다. 다만, 인텔 20A 공정은 TSMC와의 긴밀한 협력에 따라 자체 제품에만 독점적으로 사용될 예정이어서 당장 시장에 미치는 영향은 크지 않을 것이란 분석이다.
지금까지 TSMC는 새 공정에 매우 조심스러운 접근법을 사용, 동일한 공정기술 및 제조 흐름 내에서 생산 설비의 변경을 최소화 함으로써 보다 유리한 비용 구조의 장점을 극대화해 왔다. 고객사도 고급 공정 개발 과정에 설계를 변경하면 상당한 시간과 비용이 발생하기 때문이다.
보도에 따르면 TSMC는 지난해 말 2nm 공정에 대한 다양한 변수를 확정하고 특수 가스와 장비를 점검한 것으로 알려졌다. 공급망과의 계약은 점진적으로 체결되고 있고 오는 4월부터 바오산 P1 팹 장비 설치에 들어갈 예정이라고 한다.
