세계 최고 성능 1b 플랫폼 확장
신규 소재 적용, EUV 공정 최적화, 원가 경쟁력 확보
전력효율도 개선해 데이터센터 전력비용 최대 30% 절감
연내 양산 준비 완료, 내년부터 본격 공급
◆…SK하이닉스의 10나노급 6세대 D램 '1c DDR5' (이미지 SK하이닉스)
D램의 미세공정은 10나노 후반의 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)를 거쳐 10나노 중초반대인 4세대부터는 1a, 1b(5세대), 1c(6세대)로 부른다.
SK하이닉스에 따르면, 이번 1c DDR5 D램 개발은 SK하이닉스의 5세대(1b) 기술력을 확장하는 방식으로 이루어졌다. 이로 인해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 최소화하고, 기존 1b 기술의 강점을 효율적으로 1c에 적용할 수 있었다. 또한, 새로운 소재를 적용하고, EUV(극자외선) 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보하며, 생산성도 30% 이상 향상시켰다.
1c DDR5 D램은 주로 고성능 데이터센터에 활용될 예정으로, 동작속도가 8Gbps에 달하며, 이전 세대 대비 11% 빠른 성능을 자랑한다. 전력 효율 또한 9% 이상 개선되어, 데이터센터의 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대된다.
SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고, 내년부터 본격적으로 제품을 공급할 계획이다. 이를 통해 메모리 반도체 시장에서의 리더십을 더욱 강화하고, AI 메모리 솔루션 기업으로서의 위상을 공고히 할 것으로 보인다.
김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 만족시키는 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용할 것"이라며, 고객들에게 차별화된 가치를 제공하겠다고 밝혔다.
