불황의 늪에서 서서히 탈출을 모색하고 있는 메모리 반도체 업체들이 본격적인 공정개선에 나서기 시작해 그 결과가 주목된다.
대만의 디지타임즈는 업계소식통을 인용 “삼성전자와 SK하이닉스가 동시에 2013년 D램 생산의 주류가 될 것으로 예상되는 20나노미터 공정기술로 이전하는데 가속도를 내고 있다”고 22일(현지시간) 보도했다.
소식통에 따르면 삼성전자와 하이닉스가 20나노미터 공정에서 생산하는 D램은 모바일 기기와 서버 응용프로그램에 사용되는 4Gb 칩의 생산을 목표로 하고 있으며 공급과잉이 계속되고 있는 PC D램의 비중은 단계적으로 줄일 것으로 알려졌다.
그러나 다른 D램 생산업체들인 마이크론테크놀러지, 난야테크놀러지 이노테라메모리도 2013년 상반기까지 30나노 공정기술로 전환해 PC용 D램보다는 모바일 D램과 서버용 메모리칩을 시장에 공급할 것으로 전했다.
메모리 반도체 생산기업들이 공정개선을 통해 너도나도 모바일 칩과 서버용 시장에 제품공급을 예고하고 있어 조금씩 살아날 기미를 보이고 있는 메모리반도체 시장이 다시 격랑에 휩싸일 가능성도 배제하기 어렵게 되었다.
