¾ÖÇÃÀÇ Â÷¼¼´ë A9 AP(¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÇÁ·Î¼¼¼) ¼öÁÖ°æÀï¿¡¼ ¹Ð¸° ´ë¸¸ÀÇ TSMC°¡ ¼³¿åÀ» ´ÙÁüÇÏ°í ÀÖ´Ù.
ITÀü¹® º¸µµ¸ÅüÀÎ µðÁöŸÀÓÁî´Â 17ÀÏ ´ë¸¸ÀÇ ÆÄ¿îµå¸® ¾÷üÀÎ TSMC ¸ð¸®½º â ȸÀåÀÌ ÁýÁßÀûÀÎ ÅõÀÚ¸¦ ÅëÇØ 2016³â¿¡´Â ÇÉÆÖ(FinFET) °øÁ¤¿¡¼ ¼¼°è ÃÖ°íÀÇ È¸»ç·Î ¹ßµ¸¿òÇÒ °èȹÀ» ¹àÇû´Ù°í ÀüÇß´Ù.
¸ð¸®½º â ȸÀåÀº ÅõÀÚÀÚ È¸ÀǸ¦ ÅëÇØ ¡°³»³â¿¡ »ý»êÇÒ ¾ÖÇÃÀÇ A9 AP´Â »ï¼ºÀüÀÚ¸¦ µû¶óÀâÀ» ¼ö ¾øÁö¸¸ 2016³â¿¡´Â ÇÉÆÖ °øÁ¤À» Àû¿ëÇÑ Á¦Ç°À¸·Î °ü·Ã ½ÃÀåÀÇ ´ëºÎºÐÀ» Àå¾ÇÇÒ ¼ö ÀÖÀ» °Í¡±À̶ó°í °Á¶Çß´Ù.
¶ÇÇÑ ÀÌ·¯ÇÑ Ãß¼¼¸¦ Áö¼ÓÀûÀ¸·Î ÀÌ¾î ³ª°¡ 2017³â, 2018³âÀ» ³Ñ¾î ÇÉÆê ºÎ¹®¿¡¼ ¼¼°è½ÃÀåÀ» ¼±µµÇÏ°Ú´Ù´Â ÀÇÁö¸¦ ¹àÇû´Ù.
ÇÑÆí TSMC´Â ÇöÀç 16nm(³ª³ë¹ÌÅÍ,1³ª³ë¹ÌÅÍ´Â 10¾ïºÐÀÇ1¹ÌÅÍ) °øÁ¤À» ¿ä±¸ÇÑ °í°´»ç°¡ 50°³ ÀÌ»óÀ¸·Î ¿À´Â 3ºÐ±âºÎÅÍ ¾ç»ê¿¡ µé¾î°¡ 4ºÐ±â ¸ÅÃâ Áß 16nmÁ¦Ç°ÀÌ 5%~10%¸¦ Â÷ÁöÇÒ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁµÈ´Ù.
¸ð¸®½º â ȸÀåÀº ¡°½ÇÁ¦·Î 1°³ °í°´»ç°¡ ¿ä±¸ÇÑ 16³ª³ë ÇÉÆÖ °øÁ¤À» Àû¿ëÇÑ Ä¨¼ÂÀÇ ¾ç»êÀ» ½ÃÀÛÇßÀ¸¸ç ³ª¸ÓÁö °í°´µéÀº Â÷¼¼´ë 16³ª³ë ÇÉÆê Ç÷¯½º °øÁ¤À» ÀÌ¿ëÇØ »ý»êÇÒ ¿¹Á¤¡±À̶ó°í ÁÖÀåÇß´Ù.
ÇÏÁö¸¸ ±×´Â ¾ÖÇÃÀ̳ª Ä÷ÄÄ°ú °°Àº ±¸Ã¼ÀûÀÎ °í°´»ç À̸§À» °ø°³Çϱ⸦ °ÅºÎÇß´Ù. ƯÈ÷ ÁÖ¿ä°í°´ ȸ»çÀÎ Ä÷ÄÄÀÌ TSMCÀÇ 16nm °øÁ¤¿¡¼ »ý»ê¿¹Á¤ÀÎ Â÷¼¼´ë ĨÀÇ ÁÖ¹®À» °ÅÀýÇß´Ù´Â ½ÃÀåÀÇ ¼Ò¹®¿¡ ´ëÇؼ´Â ¾ð±ÞÀ» ȸÇÇÇß´Ù.
TSMC°¡ ȸÀå±îÁö ³ª¼ 16nm °øÁ¤À» °Á¶ÇÏ°í ³ª¼± °ÍÀº °¡Àå ´Ü´ÜÇÑ ¿ì±ºÀ̶ó°í ¿©°ÜÁ³´ø ¾ÖÇÃÀÇ A9 ÇÁ·Î¼¼¼ ¼öÁÖ°æÀï Å»¶ô°ú °ü°èÀÖÀ» °ÍÀ¸·Î ÃßÃøµÈ´Ù.
¸Åü¸¶´Ù ´Ù¼Ò Â÷ÀÌ°¡ ÀÖ±â´Â ÇÏÁö¸¸ ÃÖ±Ù ¿Ü½Åµé º¸µµ¿¡ ÀÇÇÏ¸é ¾ÖÇÃÀÇ Â÷¼¼´ë A9ÇÁ·Î¼¼¼ ¼öÁÖ°æÀï¿¡¼ TSMC´Â ¸¹¾Æ¾ß 30% Á¤µµ¸¦ ¼öÁÖÇÑ ¹Ý¸é »ï¼ºÀüÀÚ°¡ ´ëºÎºÐÀ» Â÷ÁöÇÑ °ÍÀ¸·Î ÀüÇØÁø´Ù.