¾ÖÇÃÀÇ Â÷¼¼´ë AP(¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ÇÁ·Î¼¼¼) »ý»êÀ» À§ÇÑ »ï¼ºÀüÀÚ¿Í TSMCÀÇ °æÀïÀÌ Ä¡¿ÇÑ °¡¿îµ¥ TSMC°¡ 10nm°øÁ¤ Àû¿ëÀ» º»°ÝÈÇÒ °ÍÀ̶ó´Â ¼Ò½ÄÀÌ´Ù.
Áß±¹ ¸ÅüÀÎ UDNÀº ¡°´ë¸¸ÀÇ TSMCÀÇ °øµ¿ ÃÖ°í°æ¿µÀÚÀÎ ¸®¿ì(Liu)°¡ ¿À´Â 28ÀÏ °³ÃֵǴ ±â¼úÆ÷·³À» ÅëÇØ 10nm(³ª³ë¹ÌÅÍ, 1nm´Â 10¾ïºÐÀÇ1¹ÌÅÍ) °øÁ¤ÀÇ º»°ÝÀû¿ëÀ» ¼±¾ðÇÒ ¿¹Á¤À̶ó°í 26ÀÏ º¸µµÇß´Ù.
¶ÇÇÑ TSMCÀÇ ¸ð¸®½º â ȸÀåµµ TSMCÀÇ 10nm ±â¼úÀº ģȯ°æ °øÀåÀ¸·Î °Ç¼³µÉ ¿¹Á¤À¸·Î ÁöÀûÀç»ê±Ç¿¡ ´ëÇÑ ±Ùº»ÀûÀÎ °ËÅä»Ó ¾Æ´Ï¶ó ¿Ï¼ºµÈ 35°¡Áö ÀÌ»óÀÇ ¼³°è¹æ¹ýÀÌ µ¿¿øµÅ °í°´µéÀÇ ¿ä±¸¸¦ ÃæÁ·½Ãų ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ̶ó°í ¼³¸íÇß´Ù.
º¸µµ¿¡ µû¸£¸é TSMCÀÇ 10nm ÆÄÀÏ·µ °øÀåÀº ½ÅÁÖ °úÇдÜÁö 12°øÀå¿¡ °Ç¼³µÇ¸ç À̸¦ À§ÇØ ÀÌ¹Ì 10nm°øÁ¤ °³¹ßÀÚµéÀÇ ÀλçÀ̵¿µµ ¸¶Ä£ °ÍÀ¸·Î ÀüÇØÁø´Ù.
¾÷°è°ü°èÀÚ´Â ¡°TSMCÀÇ 10nm °øÁ¤ Á¦Ç°Àº »ï¼ºÀüÀÚ¸¦ ¹Ð¾î³»°í ¾ÖÇà ¾ÆÀÌÆù7¿ë A10 AP »ý»ê¿¡¼ Àý´ëÀûÀÎ ¿ìÀ§¸¦ Á¡Çϱâ À§ÇÑ °ÍÀ¸·Î ¿ÏÀüÇÑ Áغñ¸¦ À§ÇØ ¸ðµç »ý»êÀÚ¿øÀ» ½ñ¾Æ ºÎÀ» Áغñ¸¦ ¸¶ÃÆ´Ù¡±°í ÀüÇß´Ù.
TSMCÀÇ 10nm Á¦Ç°Àº 15°øÀå P5¿¡¼ P7¶óÀο¡¼ º»°Ý »ý»êµÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ¸ç ƯÈ÷ P5¶óÀÎÀº ÀÌ´Þ Áß »ý»êÀ» ½ÃÀÛÇØ ³»³â 4ºÐ±â¿Í 2017³â ÃÖ´ë »ý»ê·®À» ±â·ÏÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.