세계 최대 시장을 가진 중국 반도체 제조사가 본격적인 차세대 첨단 메모리 생산에 들어갈 예정이어 국내 업계들의 긴장도를 높이고 있다.
중국의 IT전문 테크웹은 중국의 '창지앙(長江)메모리'(Yangtze River Storage Technology)가 빠르면 2017년 말까지 32적층 3D NAND(낸드) 플래시 메모리 생산에 들어갈 것으로 예상된다고 18일 보도했다.
또한 올해 말까지 중국 최초로 12인치 웨이퍼 생산시설을 이용한 낸드플래시와 DRAM(디램) 메모리 생산을 시작할 예정이라고 덧붙였다. 12인치 웨이퍼 설비 투자는 3단계로 진행되고 전체 투자규모는 240억 달러(27조원)로 추정된다.
소식통은 “1단계 설비 투자는 올해 말까지 완료될 예정이고 2단계는 2018년, 그리고 3단계 투자는 2019년 완료될 것”이라며 “12인치 웨이퍼 기준 월 생산량은 30만장으로 D램 메모리 생산에 사용되고 칭화유니그룹 및 마이크론 테크놀로지와 협업할 예정”이라고 밝혔다.
한편 창지앙 메모리는 중국의 칭화유니그룹의 반도체 생산 부문과 우한신신(武漢新芯·XMC)의 합병을 통해 새롭게 탄생한 회사로 새 법인의 대표는 칭화유니그룹 자오웨이궈(赵伟国) 회장이 맡고 있다.
중국 정부 주도로 탄생한 창지앙 메모리가 첨단 3D 낸드 플래시 메모리 생산 계획을 밝힘에 따라 삼성전자, 특히 상대적 열세에 있는 것으로 평가되는 SK하이닉스의 경우 긴장도가 높아질 것으로 전망된다.
