´ë¸¸ÀÇ ÆÄ¿îµå¸® Àü¹® Á¦Á¶¾÷ü TSMC°¡ 3nm °øÁ¤ Á¦Ç°ÀÇ À§Çè ´ë·® »ý»ê(risk production)À» ¹ßÇ¥ÇÏ¸ç »ï¼ºÀüÀÚ¿ÍÀÇ °æÀï¿¡¼ ±â¼±Àâ±â¿¡ ³ª¼¹´Ù.
Áß±¹ÀÇ IT Àü¹® º¸µµ ¸Åü ¸¶À̵å¶óÀ̹ö½º(mydrivers)´Â TSMC°¡ ³»³â 3nm(³ª³ë¹ÌÅÍ, 1nm´Â 10¾ïºÐÀÇ 1m) °øÁ¤ Ĩ¼¼Æ®ÀÇ À§Çè ´ë·® »ý»ê(ƯÁ¤ °í°´ÀÇ Ä¨ »ý»ê ÀÇ·Ú¸¦ ¹ÞÁö ¾ÊÀº »óÅ¿¡¼ ¹ÝµµÃ¼ ÆÕ(Fab)ÀÌ µ¶ÀÚÀûÀ¸·Î ¼±Çà ½ÃÇèÀ» À§ÇØ ½Ç½ÃÇÏ´Â »ý»ê)À» °ø½ÄÀûÀ¸·Î ¹ßÇ¥Çß´Ù°í º¸µµÇß´Ù.
3nm °øÁ¤ÀÇ ±â¼úÁöÇ¥¿Í ÇÔ²² °ø°³µÈ ÀÚ·á¿¡ ÀÇÇϸé 3nm °øÁ¤Àº »ï¼ºÀüÀÚ°¡ ³»³â Ä÷ÄÄÀÇ ½º³Àµå·¡°ï ½Ã¸®Á »ý»êÇÒ 5nmº¸´Ù Æ®·£Áö½ºÅÍ(Ĩ)ÀÇ ¹Ðµµ´Â 15% Áõ°¡ÇÏ°í ¼º´ÉÀº 10~15% Çâ»óµÇÁö¸¸, Àü·Â ¼Òºñ´Â ¿ÀÈ÷·Á 20~25% °¨¼ÒµÈ´Ù°í ÇÑ´Ù.
ÀÌÀü º¸µµ´Â TSMC°¡ 3nm ÇÉÆê(FinFET) °øÁ¤ °³¹ßÀ» Æ÷±âÇÏ°í GAA(Â÷¼¼´ë Æ®·£Áö½ºÅÍ ±¸Á¶, Gate-All-Around)·Î ÀüȯÇÒ °èȹÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³Áö¸¸, ÃֽŠº¸µµ´Â GAA ±¸Á¶ 2nm °øÁ¤ ±â¼ú °³¹ß¿¡ ¼º°øÇß´Ù´Â °ÍÀ» ÀǹÌÇÑ´Ù.
µû¶ó¼ ³»³â »ý»êÀ» ½ÃÀÛÇÏ´Â TSMCÀÇ 3nm °øÁ¤Àº ÇöÀç¿Í °°Àº ÇÉÆê °øÁ¤ÀÌ Àû¿ëµÉ °¡´É¼ºÀÌ Å©´Ù. ÀÌ¿¡ ¿Ü½ÅµéÀº 2022³â Ãâ½ÃÇÒ ¾ÖÇÃÀÇ ¾ÆÀÌÆеå¿Í ¾ÆÀÌÆù¿ë A16 Ĩ¼¼Æ®¿¡´Â À̹ø¿¡ °ø°³µÈ 3nm °øÁ¤ÀÌ Àû¿ëµÈ´Ù°í ÇÑ´Ù.
ÇöÀç TSMC´Â ¼¼°è ÃÖ´ë ÆÄ¿îµå¸®(¼³°è ´É·Â¸¸ ÀÖ°í »ý»ê½Ã¼³À» °¡ÁöÁö ¸øÇÑ È¸»ç¸¦ À§ÇØ Ä¨À» Á¦Á¶ÇÏ´Â) ȸ»ç·Î ¿ÃÇØ ½Ã¼³ ÅõÀÚ¸¸ 150¾ï ´Þ·¯¸¦ ¿ôµ¹°í ÁÖ¿ä °í°´»ç·Î´Â ¾ÖÇðú Ä÷ÄÄ, È¿þÀÌ°¡ ÀÖ´Ù.
TSMCÀÇ 5nm °øÁ¤ Á¦Ç°Àº ¿À´Â 9¿ù °ø°³µÉ ¾ÆÀÌÆù12 ½Ã¸®Áî¿ë A14 ¹ÙÀÌ¿À´Ð°ú È¿þÀÌ ÇÏÀ̽Ǹ®ÄÜÀÇ ±â¸° 1020 AP·Î 7nm Á¦Ç°¿¡ ºñÇØ Æ®·£Áö½ºÅÍ ¼ýÀÚ´Â 77%°¡·® ´Ã¾î³ª°í ¿¡³ÊÁö ¼Òºñ´Â Å©°Ô ³·¾ÆÁø´Ù.
°èȹ´ë·Î ÁøÇàµÈ´Ù¸é ¾ÖÇÃÀÇ ¾ÆÀÌÆù12 ½Ã¸®Áî´Â 5nm °øÁ¤ AP(¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ÇÁ·Î¼¼¼)·Î ±¸µ¿µÇ´Â ÃÖÃÊÀÇ Á¦Ç°À¸·Î °·ÂÇÑ ¼º´ÉÀ» ±¸ÇöÇÒ °ÍÀ̶ó´Â Æò°¡´Ù. ¶ÇÇÑ, Ä÷ÄÄÀÇ ½º³Àµå·¡°ï 875½Ã¸®Áîµµ TSMC°¡ »ý»êÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
¹Ý¸é ÃÖ±Ù ¿Ü½Å¿¡ µû¸£¸é Ä÷ÄÄÀÇ 5nm Á¦Ç°ÀÎ ½º³Àµå·¡°ï 875G¿Í 735G AP¸¦ »ý»êÇÒ °ÍÀ̶ó°í ÇÑ´Ù. º¸µµ¿¡ µû¶ó Ä¡¿ÇÑ ÆÄ¿îµå¸® °æÀïÀ» ¹úÀÌ°í ÀÖ´Â »ï¼ºÀüÀÚ¿Í TSMCÀÇ Èñºñµµ ¾ù°¥¸®´Â »óȲÀÌ´Ù.