»ï¼ºÀüÀÚ¿Í ´ë¸¸ TSMC°¡ »çÈ°À» °É°í ÀÖ´Â 3nm(³ª³ë¹ÌÅÍ) ¹Ì¼¼°øÁ¤ °³¹ßÀÌ ³°ü¿¡ ºÎµúÇô ÀÏÁ¤À» ¿¬±âÇÒ ¼ö¹Û¿¡ ¾øÀ» °ÍÀ̶ó´Â ¼Ò½ÄÀÌ´Ù.
Áß±¹ ¸Åü ±âÁîÂ÷À̳ª´Â TSMC FinFET9ÇÉÆê)¿Í »ï¼ºÀüÀÚ GAA´Â 3nm °øÁ¤ ±â¼ú °³¹ß¿¡¼ ¼·Î ´Ù¸¥ ¹æ½ÄÀ» ÃëÇÏ°í ÀÖÁö¸¸ µÎ ±â¾÷ ¸ðµÎ ½É°¢ÇÑ ¹®Á¦¿¡ Á÷¸éÇßÀ¸¸ç µû¶ó¼ °³¹ß ÁøÇàÀ» ¿¬±âÇÒ °ÍÀ¸·Î º¸ÀÎ´Ù°í º¸µµÇß´Ù.
ÀÌÀü TSMC 3nm(³ª³ë¹ÌÅÍ, 1m´Â 10¾ïºÐÀÇ 1m)´Â ¿ÃÇØ ÀÎÁõ°ú ½ÃÇè »ý»êÀ» ¿Ï·áÇÏ°í 2022 ³â ¾ç»ê¿¡ µé¾î°¥ ¿¹Á¤À̶ó°í ¹àÈù ¹Ù ÀÖ´Ù. ᄄᆞ¶ó¼ À̹ø º¸µµ°¡ »ç½ÇÀ̶ó¸é ÀÌ¹Ì »ó´ç·®À» ¹ßÁÖÇÑ ¾ÖÇÃÀÇ Â÷±â Á¦Ç°Àü·«¿¡µµ Â÷ÁúÀÌ ºú¾îÁú °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù.
TSMC´Â ÇöÀç ÃÖ÷´ÜÀ̶ó ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â 5nm °øÁ¤ Á¦Ç° ¶ÇÇÑ ´ëºÎºÐ ¾ÖÇÃÀÇ ¹°·®À» ä¿ì±â¿¡µµ ºÎÁ·ÇÒ Á¤µµ·Î ¼º°ú¸¦ ³»°í ÀÖ´Ù. ÇÏÁö¸¸ 3nm °øÁ¤ °³¹ßÀÌ ¿¬ÀåµÇ¸é 5nm Ĩ »ç¿ë±â°£µµ ±×¸¸Å ±æ¾îÁú ¼ö¹Û¿¡ ¾ø´Ù.
ƯÈ÷ ÀÎÅÚÀÇ °¡Àå ¾Õ¼± °øÁ¤ÀÌ ÇöÀç 10nmÀÎ Á¡À» °¨¾ÈÇϸé ÀÚü Ĩ ¼¼Æ®¸¦ °³¹ßÇØ ¸ÆºÏ ½Ã¸®Áî¿¡ žÀçÇÏ·Á´ø °èȹ¿¡ Â÷ÁúÀÌ »ý±â´Â °ÍÀº ¹°·Ð ÀÎÅÚÀÌ °øÁ¤À» µû¶óÀâÀ» ±âȸ±îÁö Á¦°øÇÒ ¿ì·Áµµ Á¦±âµÈ´Ù.
¸Åü´Â ¡°±×·³¿¡µµ ºÒ±¸ÇÏ°í ¾ÆÁ÷ »ó´çÇÑ ½Ã°£ÀÌ ³²¾Æ Àֱ⠶§¹®¿¡ ºñ°üÇÒ Á¤µµ´Â ¾Æ´Ï´Ù¡±¶ó¸ç ¡°2022³â ¾ç»êÀÌ ÁøÇàµÉ °æ¿ì¿¡µµ TSMC°¡ ÃÖ´ë 6°³¿ù °¡·® °èȹÀ» ¾Õ´ç±æ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ̱⠶§¹®¿¡ ÁÖµµ±ÇÀ» ÀâÀ» °Í¡±À̶ó°í ÀüÇß´Ù.
ÇÑÆí TSMC´Â 120¾ï ´Þ·¯¸¦ ÅõÀÔÇØ ³»³â¿¡ Âø°ø, 2024³â °¡µ¿À» ½ÃÀÛÇÒ ¹Ì±¹ ¾Ö¸®Á¶³ª °øÀå¿¡ 300¸í ÀÌ»óÀÇ Á÷¿øÀ» ÆÄ°ßÇϱâ À§ÇØ »õ·Î¿î Àü¹® ÀηÂÀÇ Ã¤¿ëÀ» ÁغñÇÏ°í ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.