◆…사진:삼성전자(HKMG512GB DDR5 모듈)
삼성전자가 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate, 이하 HKMG)' 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다.
DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존 DDR4의 2배 이상 성능으로 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps까지 확장, 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도에 달할 전망이다.
이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량·고성능·저전력 제품으로 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다.
특히 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현, 기존 공정 대비 전력 소모를 약 13% 줄일 수 있어 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
또한 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술이 적용됐으며 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반으로 DDR5 512GB 모듈을 개발했다.
2014년 세계최초로 범용 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있다.
삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획이다.
