삼성전자가 세계 최초로 3차원 'TSV(실리콘관통전극)' 적층 기술을 적용한 64기가바이트(GB) 차세대 DDR4 서버용 D램 모듈 양산에 들어갔다.
양산에 돌입한 64기가바이트 DDR4 D램 모듈은 20나노급 4기가비트(Gb) D램 칩 144개로 구성된 대용량 제품으로서 최첨단 3차원 TSV 기술로 4기가비트 D램을 4단으로 쌓아 만든 4단 칩 36개를 탑재했다.
TSV란 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술로 기존 와이어(금선)를 이용한 패키징 방식에 비해 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있다.
2010년 세계 최초로 TSV기반 D램 모듈을 개발한 삼성전자는 글로벌 서버 고객과 기술 협력을 추진한 데 이어 올해는 TSV 전용 라인을 구축하고 양산 체제에 돌입함으로써 새로운 시장 창출에 나섰다.
삼성전자는 지난해 세계 최초로 3차원 V낸드플래시를 양산하고 이번에는 업계 최초로 DDR4 D램에 TSV 기술을 적용한 차세대 제품을 양산함으로써 3차원 메모리반도체 시대를 주도하게 됐다.
3차원 V낸드 기술은 메모리 셀(Cell)을 적층하는 고집적 기술인 반면 3차원 TSV 기술은 메모리 칩을 적층하여 대용량을 구현하는 것으로 기술적 차이가 있다.
특히 3차원 TSV 기술 기반의 서버용 D램은 기존 와이어(Wire Bonding)를 이용한 D램 대비 동작 속도는 2배나 빠르면서도 소비전력을 1/2 수준으로 크게 절감했으며 D램에서 속도 지연 문제로 최대 4단까지 밖에 쌓지 못했던 기술 한계를 넘어 더 많은 칩을 쌓을 수 있게 돼 향후 64기가바이트 이상 대용량 제품을 양산할 수 있게 됐다.
삼성전자는 하반기 서버 D램 시장이 DDR3 D램에서 DDR4 D램으로 전환되는 트랜드에 맞춰 3차원 TSV 기술을 적용한 64기가바이트 이상의 고용량 DDR4 모듈도 출시해 프리미엄 메모리 시장을 더욱 확대해 나갈 계획이다.
