¼¼°è ÃÖ´ë ¹ÝµµÃ¼ ÆÄ¿îµå¸® ±â¾÷ÀÎ ´ë¸¸ TSMCÀÇ ±â¼ú °æÀï·Â È®º¸¸¦ À§ÇÑ R&D(¿¬±¸°³¹ß) ÅõÀÚ¾×ÀÌ ÃÖ°íÄ¡¿¡ À̸£°í ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î ³ªÅ¸³µ´Ù.
29ÀÏ, ´ë¸¸ °æÁ¦ºÎ ¹ßÇ¥¿¡ µû¸£¸é TSMC´Â ¿ÃÇØ 3ºÐ±â µ¿¾È Àü³â µ¿±â ´ëºñ 16.1% ´Ã¾î³ 19¾ï8õ¸¸ ´Þ·¯¸¦ ÁöÃâ, ÁֽĽÃÀå¿¡ »óÀåµÈ ´Ù¸¥ ¾î¶² Á¦Á¶¾÷üº¸´Ù ¿¬±¸°³¹ß¿¡ ´Ù ¸¹Àº ½Ã°£°ú ºñ¿ëÀ» ÅõÀÚÇÏ°í ÀÖ´Ù.
ÀÌ·¯ÇÑ ¼öÄ¡´Â ¸ÅÃâ¾×ÀÇ 8.5%¿¡ À̸£´Â ¼öÁØÀÌ¸ç °è¿»çÀΠȥÇÏÀÌÀÇ ¿¬±¸°³¹ßºñ´Â Áö³ÇØ¿¡ ºñÇØ 9°³¿ù µ¿¾È 30.7%³ª Áõ°¡Çß°í 3ºÐ±â ¸ÅÃâ ÃѾ×ÀÇ 1.5%¿¡ À̸£·¶´Ù. TSMCÀÇ Àû±ØÀûÀÎ ÅõÀÚ´Â ±Û·Î¹ú ½ÃÀå¿¡¼ ¼±µÎ¸¦ Áö¼ÓÀûÀ¸·Î À¯ÁöÇϱâ À§ÇÑ °ÍÀ¸·Î ÆľǵȴÙ.
ƯÈ÷ °í±Þ ¹Ì¼¼ °øÁ¤¿¡ ÁßÁ¡ÀûÀÎ ÅõÀÚ°¡ ÀÌ·ïÁö¸é¼ ÃÖ±Ù 10nm(³ª³ë¹ÌÅÍ, 1nm´Â 10¾ïºÐÀÇ1m) °øÁ¤¿¡¼ÀÇ ´ë·®»ý»êÀ» ½ÃÀÛÇß°í 7nm, 5nm, 3nm °øÁ¤¿¡ Àû¿ëÇÒ Ä¨À» °³¹ß ÁßÀÌ´Ù.
ÇöÁö ¾ð·ÐµéÀº TSMC°¡ 2022³â ´ë·® »ý»êÀ» ¸ñÇ¥·Î ŸÀ̳¿¡ 3nm °øÁ¤ ÆÕ °øÀå ¼³¸³À» ÃßÁø ÁßÀ̶ó°í ÀüÇÏ°í ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ ¿ÃÇØ °íÁ¤ÀÚº» ÅõÀÚµµ Àü³â ´ëºñ 25% Áõ°¡ÇØ 3ºÐ±â µ¿¾È 89¾ï8750¸¸ ´Þ·¯(9Á¶6795¾ï ¿ø)¸¦ ±â·ÏÇß´Ù.
ÇÑÆí TSMCÀÇ 3ºÐ±â ¼øÀÌÀÍÀº Áö³ÇØ¿¡ ºñÇØ 3¾ï2360¸¸ ´Þ·¯(3485¾ï ¿ø) Áõ°¡ÇÑ 81¾ï3346¸¸ ´Þ·¯(8Á¶7597¾ï ¿ø)¸¦ º¸¿´À¸¸ç ¼ø ¸¶Áø·ü ¿ª½Ã 0.7% Áõ°¡ÇÑ 34.8%¿¡ ´ÞÇß´Ù.