미국의 중국 IT 산업에 대한 압박이 강화되는 가운데 SMIC의 미세공정 개발이 급속도로 진전되는 것으로 나타나 기술자립을 강화하는 역작용이 우려된다.
미국과 중국의 IT 매체 보도에 따르면 중-미간 무역 긴장이 고조됨에 따라 세계 1위 스마트폰 제조회사로 부상한 화웨이의 부품 공급이 봉쇄된 가운데 중국 최대 반도체 파운드리 제조회사 SMIC가 초기 7nm(나노미터, 1nm는 10억분의 1m) 공정 개발을 완료한 것으로 보인다.
주력 스마트폰 부품 조달이 봉쇄됨에 따라 화웨이는 경쟁력을 상실할 위기에 놓였다는 분석이 제기되고 있으며 이러한 화웨이에 첨단 칩을 공급할 유일한 회사로 거론되는 SMIC가 7nm 공정에 접어들었다는 것은 미국의 제재 효과를 반감시킬 수 있다는 지적이다.
이에 분석가들도 미국의 새로운 제재 이후 화웨이와 SMIC의 관계를 심화시킬 것으로 믿고 있다. 다만 미국 정부가 첨단 부품이 중국군의 손에 넘어갈 것을 염려해 SMIC에 대한 수출을 면밀하게 모니터링하는 상황이므로 지금은 쉽지 않다고 할 수 있다.
현재 미국의 제재가 SMIC를 대상으로 하지는 않는 까닭에 SMIC의 기술 개발이 중단되거나 지연되지 않았으며 고급 7nm 제조공정 해당하는 제품을 대량생산하는 단계에 접어든 것으로 평가하고 있다.
중국 반도체 전문 매체 주하이 스페셜 이코노믹 존(Zhuhai Special Economic Zone)에 따르면 SMIC는 중국 IC칩 설계회사 이노실리콘(Innosilicon)의 N+1공정 처리를 위한 최종단계(Tape-out)와 테스트를 통과했다고 한다.
N+1공정은 7nm 공정 초기 단계의 변형으로 알려져 있으며 SMIC가 공개한 자료에 의하면 10nm에 비해 트랜지스터 밀도는 73% 향상됐으며 16nm에 비해 속도는 35~40% 높였지만, 전력 소비는 65% 감소한 것으로 나타난다.
SMIC 경영진은 N+1 노드를 순수 7nm 공정으로 분류하는 것에 대해 유보적인 반면 분석가들은 8nm 또는 7nm 공정의 초기 저성능 단계로 분류하고 있다. 여기서 끝나지 않고 SMIC는 곧 N+2공정 개발도 서두르고 있다.
다만 삼성전자나 TSMC와 같은 수준의 기술을 확보한 것으로 평가되는 N+3에 이르기 위해서는 극복해야 할 과제가 적지 않으며 특히 EUV(극자외선) 리소그래피 기술을 제조공정에 도입할 수 있느냐에 달려 있다는 평가다.
결과적으로 일본의 한국에 대한 반도체 관련 장비 및 소재 수출 금지조치가 국산 개발을 촉진시킨 것과 마찬가지로 미국의 화웨이에 대한 제재와 IT 산업에 대한 압박이 중국의 기술이 한 단계 업그레이드되는 결과로 이어질 가능성이 커지고 있다.
