삼성전자, 파운드리 포럼 2022에서 신기술 및 전략 공개

삼성전자가 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리 '삼성 파운드리 포럼 2022'을 통해 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다.

팹리스 고객과 협력사, 파트너 등 500여 명이 참여한 가운데 3년 만에 오프라인으로 개최된 이번 행사는 파운드리 기술 혁신, 응용처별 최적 공정 제공, 고객 맞춤형 서비스, 안정적인 생산 능력 확보 등을 통한 사업 경쟁력 강화 의지를 다졌다.

2015년 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 세계 최초로 양산한 후 지난 6월 GAA(Gate All Around) 트랜지스터 기술을 적용한 3나노 1세대 공정 양산을 세계 최초로 시작, 3나노 응용처를 확대하고 있다.

GAA 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획을 밝히는 한편 공정 혁신과 동시에 2.5D/3D 이종 집적(Heterogeneous Integration) 패키징 기술 개발도 본격화한다.

특히 3나노 GAA 기술에 삼성 독자의 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용하는 한편 3D IC 솔루션도 제공하고 u-Bump(micro Bump)형 X-Cube 2024년 양산, 2026년 Bump-less형 X-Cube도 선보일 계획이다.

HPC(High Performance Computing), 오토모티브(차량용 반도체), 5G, IoT 등 고성능 저전력 반도체 시장을 적극적으로 공략해 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워 갈 계획이다.

지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한 데 이어 4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대하고 eNVM(embedded Non-Volatile Memory)과 RF도 다양한 공정을 개발해 고객 니즈에 맞춘 파운드리 서비스를 제공한다.

양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션을 2024년 14나노로 확대하며 향후 8나노 eNVM 솔루션을 위한 기술도 개발 중이다.

RF 공정 서비스도 확대한다. 현재 양산 중인 14나노 RF 공정에 이어 세계 최초로 8나노 RF 제품 양산에 성공했으며 5나노 RF 공정도 개발 중이다.

2022년 현재 56개 설계자산(IP) 파트너와 4,000개 이상의 IP를 제공하고 있으며 디자인솔루션파트너(DSP), 전자설계자동화(EDA) 분야에서도 각각 9개, 22개 파트너와 협력하는 한편 9개 파트너와 클라우드(Cloud) 서비스, 10개 OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test) 파트너와 패키징 서비스를 제공하고 있다.

삼성 파운드리 포럼에 이어 4일 'SAFE 포럼(Samsung Advanced Foundry Ecosystem Forum)'도 개최하고 EDA, IP, OSAT, DSP, Cloud 분야 파트너들과 파운드리 신기술과 전략을 소개할 예정이다.