´ë¸¸ ÀÌÄÚ³ë¹Í µ¥Àϸ®´Â TSMCÀÇ 3nm ±â¼úÀÌ ¶Ç ´Ù¸¥ °Å¹°±Þ °í°´À» À¯Ä¡ÇÏ´Â µ¥ ¼º°øÇÑ °ÍÀ¸·Î º¸ÀÎ´Ù¸ç ¾ÖÇðú ¹Ìµð¾îÅØ¿¡ À̾î Ä÷ÄÄÀÌ Â÷¼¼´ë 5G ÁÖ·Â ÇÁ·Î¼¼¼ »ý»êÀ» À§Å¹ÇÒ °ÍÀ¸·Î º¸ÀÎ´Ù°í º¸µµÇß´Ù.
ÀÌ¿¡ µû¶ó Ä÷ÄÄÀº TSMC 3nm °øÁ¤À¸·Î »ý»êµÈ Â÷¼¼´ë ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ À̹ø ´Þ ¸»¿¡ °ø°³ÇÒ ¿¹Á¤À̸ç Ä÷ÄÄ°ú TSMC ¸ðµÎ ÀÌ·¯ÇÑ ¼Ò½Ä¿¡ ´ëÇØ ÇÔ±¸ÇÏ°í ÀÖ´Ù°í µ¡ºÙ¿´´Ù. ¾÷°è Àü¹®°¡µéÀº ¿£ºñµð¾Æ, AMD µî ÁÖ¿ä ¾÷üµéÀÇ Ãß°¡ ¼öÁÖ°¡ ¿¹»óµÈ´Ù°í ¹àÇû´Ù.
´Ù¾çÇÑ Ã·´Ü ÆÕ¸®½ºµéÀÌ TSMC¿¡ »ý»êÀ» À§Å¹ÇÏ´Â °Í¿¡ ¹Ì·ï TSMCÀÇ 3nm ±â¼úÀÌ »ï¼ºÀüÀÚº¸´Ù ¿ìÀ§¿¡ ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î º¸ÀÌ¸ç ¿©ÀüÈ÷ ±¹Á¦ÀûÀÎ °Å´ë ±â¾÷µé¿¡´Â ÃÖ°íÀÇ ¼±ÅÃÁö¶ó´Â »ç½ÇÀ» º¸¿©ÁØ´Ù.
Ä÷ÄÄÀº Áö³ÇØ TSMCÀÇ 4nm °øÁ¤¿¡¼ »ý»êµÈ 5G ÇÁ·Î¼¼¼ÀÎ ½º³Àµå·¡°ï 8¼¼´ë 2¸¦ °ø°³ÇÑ ¹Ù ÀÖ´Ù. ÀÌÀü ¼¼´ëÀÎ ½º³Àµå·¡°ï 8¼¼´ë 1Àº »ï¼ºÀüÀÚ 4nm °øÁ¤¿¡¼ »ý»êµÇ¾úÁö¸¸, ¹ß¿ ¹®Á¦°¡ Á¦±âµÇ¾ú°í ÀÌ¿¡ TSMC 4nm °øÁ¤À» Àû¿ëÇÑ ½º³Àµå·¡°ï 8+¼¼´ë 1 Á¦Ç°À¸·Î ´ëüÇß´Ù.
Ä÷ÄÄÀº ÀüÅëÀûÀ¸·Î °ø±Þ¼± ´Ùº¯È Àü·«À» ÃëÇÏ°í ÀÖ´Ù. ¾÷°è¿¡¼´Â Ä÷ÄÄÀÌ ¿À´Â 10¿ù ¸» ¹ßÇ¥¿¹Á¤ÀÎ Â÷¼¼´ë 5G Áַ Ĩ ½º³Àµå·¡°ï 8¼¼´ë 3¿¡ ´ëÇØ ½º¸¶Æ®Æù ºê·£µå¸¦ ´ë»óÀ¸·Î ºñ°ø°³·Î °ø±ÞÇß´Ù´Â ÈĹ®ÀÌ´Ù. ÀÌ Ä¨Àº TSMCÀÇ 4nm(N4P)¿Í 3nm(N3E) µÎ ¹öÀüÀ¸·Î Ãâ½ÃµÉ °ÍÀ̶ó´Â ¼Ò¹®ÀÌ´Ù.