삼성전자 "HBM 투자 2.5배 확대…메모리·파운드리 융합 가능"

삼성전자가 11일(현지시간) HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 메모리 반도체 투자를 늘리기로 했다고 밝혔다.

삼성전자는 미국 라스베이거스에서 열린 'CES 2024'에서 인공지능(AI) 반도체 제품, 생성형 AI와 온디바이스 AI용 D램, 차세대 스토리지용 낸드플래시 솔루션, 2.5/3차원 패키지 기술 등을 공개했다.

이날 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 "HBM 시장은 이제 본격적으로 성장하는 시기"며 "다른 공급사 들이 너무 HBM을 열심히 해서 삼성도 긴장하면서 매출을 키워야겠다고 생각하고 있다"고 말했다.

그는 "올해 HBM 설비투자 규모를 2.5배 이상으로 늘리려고 한다며 "2~3년 뒤에는 이렇게 어려운 시기에 설비투자를 높게 유지한 효과가 나타날 것이고, 제품 경쟁력 향상과 기술 개발을 통해 미국 AI 서버 시장에서 점유율을 50% 이상으로 끌어올릴 수 있도록 할 것"이라고 밝혔다.

이어 "2025년 차세대 반도체 시장의 수요가 공급을 초과할 것으로 예상되는 만큼 올해는 이를 대비하는 원년"이라며 "미국에서는 본격적으로 온디바이스 AI를 사용한 AI PC가 출시되면서 올해 하반기부터 시장이 반등할 것으로 보고 있다"고 했다.

삼성전자는 이날 앙코르 호텔 전시공간에 지난해 10월 처음 공개한 HBM3E D램 '샤인볼트'도 전시했다. 12단(적층) 기술을 활용해 1초에 1280기가바이트의 대역폭과 최대 36기가바이트의 고용량을 제공한다. 기존 HBM3 제품 대비 성능과 용량을 50% 이상 개선한 제품.

한 부사장은 HBM과 파운드리가 결합한 새로운 사업이 나오고 있다고 밝혔다.

그는 "HBM과 같은 가속기용 메모리 수요가 뜨면서 이런 쪽에서 파운드리와 결합된 그런 새로운 사업이 나오고 있고, 그런 점에서 고성능 컴퓨팅 고객들이 늘어나고 있다"고 했다.

아울러 "메모리와 파운드리를 동시에 가진 회사가 전 세계에 유일하게 삼성전자밖에 없다"면서 "2∼3년 뒤에는 삼성전자가 생성 AI 시대에 파운드리와 메모리의 융합을 통해서 강자가 될거라 자신한"고 말했다.

한 부사장은 "HBM 뿐 아니라 고객들과 LPDDR(저전력 D램), CXL(컴퓨트익스프레스링크) 등에 대한 초기 논의를 하고 있다"며 "여러 가지 형태의 아이디어들이 2~3년 내에는 가시화되고 본격적으로 개화될 것으로 보여 솔루션 적기 개발을 통해 패러다임 변화를 주도하겠다"고 강조했다.

미국 텍사스주 테일러에 짓고 있는 공장에 대해서는 "건설은 예정대로 잘 진행되고 있다"며 "양산 시점은 지금 고객 니즈, 그다음에 미국 정부와 협상도 계속 진행 중"이라고 소개했다.