2nm(나노미터) 생산라인 구축에 적극적이었던 TSMC가 극심한 반도체 경기 불황에 따라 신주의 바오산 공장의 완공 시기를 조절하고 2026년까지 양산을 늦출 것이라는 소식이다.
대만의 미디어테크 뉴스는 대만 북부와 중부, 남부지역에 대규모 투자를 단행, 2nm 팹 건설에 적극적으로 나섰던 TSMC가 바오산 팹의 건설 진행이 늦춰지고 있어 당초 생산일정에 영향을 줄 가능성이 있다고 보도했다.
현재 TSMC는 신주의 바오산 공장, 센트럴 타이완 사이언스파크 공장, 가오슝 난지 공장 등을 동시에 건설 중으로 이중 바오산 공장의 건설 일정이 지연됨에 따라 양산 시기가 2026년까지 늦춰질 수 있다는 전망이다.
원래 바오산 2단계 시설에서 12인치 웨이퍼 팹(P1~P4) 4개를 신설, 20개 라인에서 2024년 하반기 리스크 생산, 2025년 양산을 목표로 신주과학공원관리국은 주변 도로와 폐수시설 등 기반시설을 포함한 바오산 2단계 사업 확장을 위한 공공공사를 시작한 데 이어 TSMC가 공사를 시작할 수 있도록 부지를 인도하고 있는 것으로 알려졌다.
그러나 공급망 분석 보고서에 따르면 바오산 팹 건설 프로젝트는 반도체 수요 둔화와 고객 채택의 불확실성으로 인해 속도가 느려지는 것으로 확인되고 있다. 이에 따라 당초 예정됐던 2025년 하반기 양산 시기는 2026년까지 늦춰질 가능성이 있다는 것이다.
가오슝 팹도 2nm 공사를 병행하고 있으며 바오산 팹 완료 1개월 뒤 장비 설치 작업에 들어갈 예정이었다. 바오산 팹 건설 둔화가 가오슝 팹에도 동시다발적으로 영향을 미칠지는 불확실하다.
타이중 팹은 타이중시 정부의 승인은 취득했지만, 내년에 착공할 예정이었다. 일부 언론 보도에 따르면 센트럴 타이완 사이언스 파크 팹은 잠재적으로 1.4nm 또는 심지어 1nm 반도체 노드를 생산할 수 있도록 업그레이드 가능성이 있다고 전하고 있다.
외부적으로는 TSMC의 2nm 공정에 처음으로 나노시트 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 구조가 적용될 것이라는 관측이 나오고 있다. 삼성은 이미 3nm 노드에 GAA 기술을 적용 중으로 TSMC에 대한 경쟁력을 제공할 수 있을지는 확실하지 않다.
다만, 높은 기술적 복잡성으로 인해 개발 초기에 GAA 기술을 도입하는 것은 상당한 수율 문제에 직면할 수 있다는 평가다.
삼성은 일찌감치 GAA 아키텍처 연구를 시작해 2017년 IBM, 글로벌파운드리 등과 협업해 관련 이론을 완성했으며 TSMC 또한 2nm 노드로 이동할 때 나노시트 트랜지스터 기술을 적용할 준비가 된 것으로 알려지고 있다.
그러나 GAA의 기술적인 문제로 인해 개발 및 생산일정이 지연될 가능성이 제기되는 가운데 2nm 팹 건설도 지연되고 있다는 보도가 맞는다면 양산은 2026년까지 연기될 수도 있어 삼성이 우위를 확보할 기회가 될 것이라는 지적이다.
