회사는 18일 발표한 브리핑을 통해 2nm(나노미터, 1nm는 10억분의 1m) 시장의 탄탄한 수요로 인해 당초 계획했던 가오슝 2개 생산시설이 1개를 더 추가할 계획이라고 밝혔다. 이에 따라 신주 바오산의 2nm 팹 외에도 가오슝의 3개 팹 모두를 2nm 생산에 투입한다.
또한, 최근 매입한 신주 과학단지 부지도 2nm 팹 부지로 지정될 예정이다. 이는 고객사들의 2nm 공정 제품에 대한 강력한 수요에 대응하기 위한 목적과 함께 자체 2nm 공정에 대한 TSMC의 자신감을 반영하는 것으로 해석된다.
18일 브리핑 후 TSMC CFO(최고재무책임자) 웬델 황은 기자회견에서 고성능 컴퓨팅 및 스마트폰 시장의 강력한 수요를 따라잡기 위해 가오슝의 팹 수를 원래보다 늘리기로 결정했다며 2nm 공정 생산이 본격화하면 가오슝이 주요 제조 허브로 부상할 것이라고 강조했다.
특히 최근 대만 내무부 도시계획위원회의 승인을 얻어 TSMC가 사용하도록 지정한 신주사이언스파크 부지도 오는 6월 착공할 계획으로 역시 2nm 제품을 생산할 것으로 알려졌다.
최근 시장보고서에 따르면 반도체 파운드리 선두업체인 TSMC는 2nm 공정부터 GAA(Gate-All-Around) 아키텍처를 채택하려는 계획을 예정대로 적용할 것으로 전해진다. 신주과학단지 P1 웨이퍼 팹은 오는 4월부터 장비 설치에 들어가고, 가오슝은 내년부터 2nm 공정에 GAA를 적용한 제품 생산에 나선다.
한편 인텔이 최근 18A 고급 공정을 위해 ASML로부터 처음으로 High-NA EUV 노광 장비를 확보한 것에 대응하여 TSMC 역시 High-NA EUV 노광 장비도 계획하고 있다고 밝혔다. 그러나 일정상 올해는 장비에 대한 엔지니어링 검증을 진행하고 이후 제조 공정에 점진적으로 통합될 것으로 예상된다.
