일본과 미국의 칩 메이커들이 공동으로 저 전력·고속 D램의 대량생산 기술 확보에 적극적으로 나서고 있다.
일본경제신문은 일본과 미국의 20개가 넘는 칩 제조업체들이 현재 D램보다 빠르고 저 전력으로 동작하는 D램 칩의 대량생산 기술을 개발하기 위해 공동 작업을 펼치고 있다고 26일 보도했다.
공동 작업에 참여하고 있는 세계 2위의 D램 생산업체인 마이크론을 포함, 르네사스, 히타치, 도쿄 일렉트론 등이 내년 2월 대량 생산기술 확보를 위한 프로젝트를 위해 도호쿠 대학에 전문가를 파견할 예정이라고 덧붙였다.
이번 프로젝트는 M램의 대량생산 기술을 확보하는데 1차 적인 목표가 있는 것으로 알려졌다.
M램은 현재 시장의 주류인 D램보다 전력 사용은 3분의 1에 불과하고 쓰기 속도가 10배 이상 빠르며 저장 용량 또한 10배 이상 크다. 작고 가벼우며 용량이 큰 스마트폰과 태블릿을 제조하는데 유리하다.
자기저항(M)램은 자성체 소자를 이용하는 비휘발성 고체메모리로 소비전력이 낮고 집적도가 높으며 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 특성을 가졌지만 D램과 플래시 메모리의 그늘에 가려져 왔다.
물론 이 회사들만 M램 기술을 확보하기 위해 노력하는 것은 아니다. 도시바와 SK하이닉스도 동일한 메모리 제조공정을 개발하기 위해 노력하고 있으며 삼성전자 또한 ‘글로벌 M램 이노베이션’계획을 진행 중이다.
또한 올해 초 프리스케일 사로부터 분사된 에버스핀은 세계에서 첫 M램 생산 1000만개를 달성했으며 에어버스와 지멘스에 4메가비트와 16메가비트 M램 칩을 상업적으로 공급하고 있다.
업계관계자는 “일본과 미국 기업들의 적극적 행보는 그동안 D램 등 메모리 분야에서 한국 기업들에게 밀려 고전을 면치 못한데 대한 대응차원으로 보이며 차세대 메모리 시장의 향방에 중요한 영향을 미칠 것”이라고 말했다.
