SK하이닉스가 세계 최초로 20나노급 8Gb(기가비트) DDR4 기반 최대용량 128GB(기가바이트) 모듈을 개발했다고 6일 밝혔다.
TSV 기술을 활용해 기존 최고 용량인 64GB의 두 배에 이르는 용량과 DDR3의 데이터 전송속도인 1333Mbps보다 빠른 2133Mbps를 구현했으며 64개의 정보 입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.
SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 세계 최초로 연속 개발해 주요 고객에 샘플을 제공함으로써 서버용 D램 시장에서도 기술리더십을 이어 나가게 됐다. 이 제품은 내년 상반기부터 본격 양산할 계획이다.
DRAM개발본부장 홍성주 전무는 “세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다”며 “향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것”이라고 밝혔다.
