삼성전자가 세계 최초로 20나노 공정을 적용한 차세대 8기가비트(Gb) LPDDR4 모바일 D램을 양산, 차세대 갤럭시S6에 4기가바이트(GB) 모바일D램을 장착할 것이 확실해졌다.
20나노 8기가비트 LPDDR4 모바일 D램은 1기가바이트(8Gb=1GB)칩 4개로 모바일 D램 최대 용량인 4기가바이트를 구성할 수 있는 제품으로 기존 LPDDR3 제품보다 2배 빠르게 데이터를 처리하면서도 소비전력을 최대 40% 절감할 수 있다.
특히 삼성전자는 다음 달 미국6일부터 미국 라스베이거스에서 열리는 CES 2015(국제전자제품박람회)에서 4기가바이트 LPDDR4 모바일 D램으로 메모리업계 유일 3년 연속 혁신상을 수상, 차별화된 기술 경쟁력을 인정받았다.
삼성전자는 지난 2013년 2GB LPDDR3로, 2014년에는 3GB LPDDR3로, 그리고 2015년 4GB LPDDR4로 메모리 분야에서 3년 연속으로 혁신상을 수상했다.
한편 8기가비트 LPDDR4는 독자 개발한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) 기술로 일반 PC D램(1600Mb/s)보다 2배 빠른 3200Mb/s로 데이터를 처리해 UHD급의 동영상과 2천만화소 이상의 초고화질 사진을 연속으로 촬영할 수 있다.
지난 9월 20나노 6기가비트 LPDDR3 모바일 D램을 양산한지 3개월 만에 다시 8기가비트 LPDDR4를 내놓으며 글로벌 모바일 고객들에게 한 차원 높은 '초고속, 초절전, 고용량' 솔루션을 제공할 수 있게 되었다.
삼성전자는 올해에는 글로벌 모바일기기 제조업체들의 하이엔드 제품 출시에 맞춰 2기가·3기가바이트 LPDDR4 D램을 동시에 공급한 바 있으며 내년에는 4기가바이트 LPDDR4 D램을 본격 공급함으로써 업계 최대의 라인업을 확대해 나갈 예정이다.
특히 이번에 4GB D램 양산을 개시함으로써 곧 발표예정인 차세대 갤럭시 S6에도 탑재될 가능성이 높아진 것으로 분석된다.
갤럭시 S6는 64비트 명령어 체계를 수행하는 AP(퀄컴의 스냅드래곤810 또는 엑시노스7420)를 장착할 예정이기 때문에 완벽한 지원과 원활한 성능을 구현하기 위해서는 3GB램으로는 부족하다는 것이 전문가들의 주장이다.
즉 갤럭시S6는 64비트 프로세서가 장착되고 이를 완벽하게 처리할 수 있는 4GB메모리를 탑재함으로써 보다 완성도 높은 초고사양의 모바일 기기로 탄생할 것이라는 예상이 가능하다.
