◆…삼성전자 세계 최초 <사진: 삼성전자>
삼성전자가 세계 최초로 10나노급 D램 시대를 열었다.
5일 삼성전자는 지난 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(㎚, 1㎚: 10억 분의 1ｍ) 8Gb DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 밝혔다.
10나노급 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 속도가 30% 이상 빠른 3천200Mbps를 구현할 수 있으며 소비전력을 10∼20% 절감할 수 있다.
반도체 미세 기술의 한계를 뛰어넘은 이번 제품 개발에는 '초고집적 설계 기술'과 '사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique)', '초균일 유전막 형성 기술' 등 3가지 혁신 기술이 적용됐다.
사중 포토 노광기술은 초고집적으로 셀(정보 저장의 최소 단위)을 만들기 위해 한 번의 포토 공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술이다.
삼성전자는 올해 10나노급 모바일 D램을 양산해 PC·서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 계속 선점하겠다는 전략을 수립했다.
