¼¼°è ÃÖ´ë ÆÄ¿îµå¸® ¾÷ü ´ë¸¸ TSMC°¡ °í°´»çÀÇ ¾Ð·ÂÀ¸·Î 16nm¿Í 20nm °øÁ¤ Á¦Ç°ÀÇ °¡°ÝÀÎÇϸ¦ °ËÅäÇÏ°í ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
´ë¸¸ÀÇ ITÀü¹® µðÁöŸÀÓÁî´Â ¾÷°è¼Ò½ÄÅëÀ» ÀοëÇØ TSMC°¡ ASP(ÆǸŴܰ¡)Ç϶ô ¹× ¸ÅÃâÃÑÀÌÀÍ °¨¼Ò¿¡ Á÷¸éÇÑ °í°´»çµéÀÇ ¾Ð·ÂÀ» ¿ÏÈÇϱâ À§ÇØ ÈÞ´ëÆù¿ë ICÀÇ °è¾à°¡°Ý ÀÎÇϸ¦ °í·ÁÇÏ°í ÀÖ´Ù°í 18ÀÏ º¸µµÇß´Ù.
TSMC°¡ °¡°ÝÀÎÇϸ¦ °í·ÁÇÏ´Â Á¦Ç°Àº 16nm¿Í 20nm °øÁ¤±â¼úÀÌ Àû¿ëµÈ ¸ð¹ÙÀÏ¿ë IC ĨÀ¸·Î ¹Ìµð¾îÅØ µî ¾Èµå·ÎÀ̵å ÈÞ´ëÆù Á¦Á¶±â¾÷µéÀÌ Æ÷ÇԵŠÀÖ´Ù.
ÀÌ·¯ÇÑ °áÁ¤À» ³»¸° ¹è°æ¿¡´Â ÈÞ´ëÆù¿ë IC °ø±Þ»çµéÀÇ °ú´ç °æÀïÀ¸·Î ÀÎÇÑ Ä¨ °¡°ÝÀÇ Æø¶ô°ú Á¦Ç° °ø±Þ»çµéÀÇ ¼öÀͼº¿¡ ºÎÁ¤ÀûÀÎ ¿µÇâÀ» ÁÖ°í Àֱ⠶§¹®ÀÌ´Ù.
TSMC¿¡ ¼öŹ °¡°øÀ¸·Î Á¦Ç°À» °ø±ÞÇÏ´Â Ä÷ÄÄ, ¹Ìµð¾î ÅØ, ½ºÇÁ·¹µåÆ®·³ µî ÁÖ¿ä Çìµå¼Â IC ¾÷ü ´ëºÎºÐÀÌ ÆǸŴܰ¡ Ç϶ôÀº ¹°·Ð ¸ÅÃâÃÑÀÌÀÍ·ü °¨¼Ò¸¦ °æÇèÇÏ°í ÀÖ´Ù.
½ÇÁ¦·Î ´ë¸¸ ¹Ìµð¾îÅØÀº ÃÖ±Ù ÅõÀÚÀÚ ¹ÌÆÃÀ» ÅëÇØ ¿ÃÇØ 2ºÐ±â ÃâÇÏ·®°ú ¸ÅÃâ¾× ¸ðµÎ Áõ°¡ÇÏ°ÚÁö¸¸ ¸ÅÃâÃÑÀÌÀÍ·üÀº ´õ¿í Ç϶ôÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù´Â ÀÇ°ßÀ» ³»³ù´Ù.