Àü±âÀÚµ¿Â÷ »ý»êÀÇ ±ÞÁõÀ¸·Î ÇٽɺÎÇ° Áß ÇϳªÀÎ MOSFET ĨÀÇ °ø±ÞºÎÁ·ÀÌ Á¡Á¡ ½Éȵǰí ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î ³ªÅ¸³µ´Ù.
´ë¸¸ÀÇ ITÀü¹® µðÁöŸÀÓÁî´Â ¾÷°è ¼Ò½ÄÅëÀ» Àοë, ÀÚµ¿Â÷ Àü¿øÀ̳ª °íÃâ·Â ÆÄ¿ö ¾ÚÇÁ Ãâ·Â ´Ü¿¡ »ç¿ëÇÏ´Â ±Ý¼Ó »êȸ· ¹ÝµµÃ¼ Àü°èÈ¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ(MOS field-effect transistor)ÀÇ °ø±Þ ±â°£ÀÌ Æò±Õ 8~12ÁÖ¿¡¼ 13~18ÁÖ·Î ¿¬ÀåµÇ°í ÀÖ´Ù°í 30ÀÏ º¸µµÇß´Ù.
ÀÎÇǴϾð, ST ¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º, NXP, Åػ罺ÀνºÆ®·ç¸ÕÆ® µî ÁÖ¿ä MOSFET Ĩ °ø±Þ¾÷üµéÀº ³»³â »ó¹Ý±â±îÁö È®º¸µÈ ¹°·®ÀÇ °ø±ÞÀ» À§ÇØ »ý»ê¶óÀÎÀÇ Ãß°¡°Ç¼³±îÁö °ËÅä ÁßÀ̶ó°íµµ µ¡ºÙ¿´´Ù.
¼Ò½ÄÅëÀº Àü±âÀÚµ¿Â÷ÀÇ °æ¿ì ÀÏ¹Ý ¼®À¯ÀÚµ¿Â÷¿¡ ºñÇØ MOSFET ĨÀÇ ¼ö¿ä°¡ 10~15¹è¿¡ ´ÞÇÏ´Â ±î´ß¿¡ »ý»ê·®À» ÃÊ°úÇÏ´Â ¼ö·®ÀÇ °ø±ÞÀ» ¿ä±¸ÇÏ°í ÀÖ´Ù¸ç ÀÌ·¯ÇÑ Ãß¼¼´Â ³»³â »ó¹Ý±â±îÁö À̾îÁ® °ø±ÞºÎÁ··®ÀÌ 30%¿¡ À̸¦ Àü¸ÁÀ̶ó°í ÀüÇß´Ù.
MOSFETĨÀÇ ¹°·®ºÎÁ·Àº 6ÀÎÄ¡ ¹× 8ÀÎÄ¡ ¿þÀÌÆÛ °ø±ÞºÎÁ·¿¡ µû¸¥ °ÍÀ¸·Î ÁÖ¿ä °ø±Þ¾÷üµéÀÌ ÃâÇÏ ¹°·®ÀÇ »ó´ç·®À» ÀÚµ¿Â÷ ÀüÀå¾÷ü¿¡ ÇÒ´çÇÔ¿¡ µû¶ó PC³ª ³ëÆ®ºÏ ¹× ¸ð¹ÙÀÏ ÀåÄ¡¿ë ¹°·®Àº ´õ¿í Á¦ÇÑµÉ °¡´É¼ºÀÌ ³ô´Ù.
ÀÌ·¯ÇÑ ½ÃȲÀº °ø±Þ¾÷üµéÀÇ ½ÇÀû¿¡µµ Àß ¹Ý¿µµÇ°í ÀÖ´Ù. Áö³ 3ºÐ±â ¾îµå¹Ý½ºÆ® ÆÄ¿ö ÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º(APEC), ´ÏÄÚ ¹ÝµµÃ¼(Niko Semiconductor) ¹× ½Ã³ëÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼(Sinopower Semiconductor)ÀÇ ½ÇÀûÀº ³î¶ó¿î ½ÅÀåÀ» º¸Àι٠ÀÖ´Ù.
´Ü±âÀûÀ¸·Î ¼ö¿ä°¡ °¨¼ÒÇÏ´Â 4ºÐ±â ¶ÇÇÑ °èÀýÀû ¿äÀο¡µµ ºÒ±¸ÇÏ°í ÀüüÀûÀÎ °ø±Þ·® ºÎÁ·¿¡ µû¶ó PC¿Í ³ëÆ®ºÏ¿ë MOSFET °ø±ÞÀº ¿©ÀüÈ÷ ºÎÁ·, ¾çÈ£ÇÑ ½ÇÀûÀ» °ÅµÑ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁµÈ´Ù.