대만 반도체 제조기업 난야 테크놀로지(Nanya Technology Corporation)가 20nm나노 공정을 적용한 8GB(기가바이트) DDR4 D램 개발에 성공했다.
대만 C타임즈(ctimes)는 대만의 난야테크놀로지가 자체 기술로 20nm(나노미터, 1nm는 10억분의1m) 공정을 적용한 8GB DDR4 DRAM(디램) 개발에 성공, 양산에 들어갔다고 19일 보도했다.
공식 출하는 PC업체들의 인증을 득한 후 이달 말부터 시작될 예정으로 R&D(연구개발)에 1년을 쏟아 부은 것으로 알려졌다. 현재 20nm 공정의 DDR4 디램을 생산할 수 있는 기업은 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 소수에 그치고 있다.
난야는 적층형 패키징 기술을 사용하였다며 개인용 컴퓨터 및 서버 시장의 요구를 충족하기 위해 8GB 메모리 모듈은 16GB 및 32GB까지 확장이 가능하다며 향후 서버시장 외에도 AI제품 시장과 고해상도 스마트TV, 셋톱박스 시장에 집중하겠다고 발표했다.
다만 당분간 선발주자인 삼성전자나 SK하이닉스, 그리고 마이크론과는 직접 경쟁을 하지는 않을 방침이라고 덧붙여 품질 면에서 다소 차이가 있을 가능성을 암시했다.
