◆…사진제공:삼성전자
삼성전자가 28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(내장형 MRAM) 솔루션 제품을 출하했다.
실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄이는 공정으로 MRAM은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지됨)이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠르다는 특성을 가지는 메모리 반도체다.
두 기술을 동시에 적용해 전력 소모는 줄이면서 속도는 높이고 소형화에 가격까지 저렴한 팔방미인으로 SoC(System on Chip)에 이 제품을 결합해 파운드리 분야 기술 리더십을 강화할 수 있을 것으로 기대된다.
내장형(embedded) 메모리는 IoT 기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈로 주로 Flash를 기반으로 한 eFlash(embedded Flash Memory)가 사용된다.
다만 eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율 측면에서 단점이 있었으나 28나노 FD-SOI eMRAM은 데이터 삭제 과정을 거치지 않기 때문에 기존 제품보다 약 1천 배 빠른 쓰기 속도를 구현한다.
또한 비휘발성 특성으로 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않는 것은 물론 데이터 기록 시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어나다.
이밖에도 eMRAM 솔루션은 단순한 구조를 가지고 있어 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현이 가능하기 때문에 고객들의 설계 부담을 줄이고 생산비용 또한 낮출 수 있다.
삼성전자는 6일 기흥캠퍼스에서 28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 진행하는 한편 올해 안에 1Gb eMRAM 테스트 칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공할 방침이다.
