◆…사진제공:Sk하이닉스
SK하이닉스가 18일 중국 우시에서 기존 D램 생산라인 C2를 확장한 C2F 준공식을 개최했다고 밝혔다.
SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산 공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 생산라인 확장을 결정했으며 준공식 행사에는 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다.
2004년 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작한 C2는 SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 현재까지 성장에 큰 역할을 담당해 왔다.
그러나 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해졌고 지난 2017년 6월부터 2019년 4월까지 총 9500억 원을 투입해 준공한 C2F는 건축면적 5만8천㎡(1만7천5백평, 길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)의 단층 팹으로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다.
SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작하고 향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이라고 전했다.
