»ï¼ºÀüÀÚ°¡ Â÷±â °¶·°½Ã S11 ½Ã¸®Áî¿¡ ¿¢½Ã³ë½º ĨÀÌ ¹èÁ¦µÉ °ÍÀ̶ó´Â ¼Ò¹®ÀÌ ÆÛÁö´Â °¡¿îµ¥ Áß±¹ È¿þÀÌÀÇ ¹ß°ÉÀ½Àº ¿ÀÈ÷·Á »¡¶óÁö°í ÀÖ´Ù.
Áß±¹ÀÇ ¸ð¹ÙÀÏ °ü·Ã º¸µµ¸Åü ±âÁîÂ÷À̳ª´Â È¿þÀÌ°¡ ÀÚȸ»ç ÇÏÀ̽Ǹ®ÄÜÀÌ °³¹ßÇÑ 5nm(³ª³ë¹ÌÅÍ, 1nm´Â 10¾ïºÐÀÇ 1m) °øÁ¤À» Àû¿ëÇÑ ±â¸° 1020 º¼Æ¼¸ð¾î¸¦ ¸ÞÀÌÆ®40 ½Ã¸®Áî¿¡ žÀçÇÒ ¿¹Á¤À̶ó°í 13ÀÏ º¸µµÇß´Ù.
Áß±¹ ¿þÀ̺¸ÀÇ ¸¶ÀÌÅ©·Î ºí·Î°Åµµ ¡°5nm º¼Æ¼¸ð¾î°¡ Ãâ°ÝÇÒ Áغñ¸¦ ¸¶ÃÆ´Ù¡±¸ç °ø°³°¡ ÀÓ¹ÚÇßÀ½À» È®ÀÎÇß´Ù. ÀϹÝÀûÀ¸·Î ÇÏÀ̽Ǹ®ÄÜ(Hisilicon)Àº °³¹ß ÁßÀΠĨ¼Â ÄÚµå¸í¿¡ ¿Ü±¹ÀÇ µµ½Ã À̸§À» ºÙ¿´±â ¶§¹®¿¡ º¼Æ¼¸ð¾î ¶ÇÇÑ °¡´É¼ºÀÌ ³ô´Ù.
ÇöÀç TSMCÀÇ AP(¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç ÇÁ·Î¼¼¼) »ý»ê °øÁ¤¿¡ 5nm¸¦ Àû¿ëÇÏ´Â °ÍÀº ¾ÖÇðú ÇÏÀ̽Ǹ®ÄÜÀ¸·Î ÀÌ·¯ÇÑ Á¤º¸´Â ÇÏÀ̽Ǹ®ÄÜÀÇ ÃÖ÷´Ü ÁÖ·Â ÇÁ·Î¼¼¼°¡ ¼¼»ó¿¡ ¸ð½ÀÀ» µå·¯³»±â À§ÇØ °ËÁõ´Ü°è¿¡ ÀÖÀ½À» ½Ã»çÇÑ´Ù.
¿Ü½Å¿¡ µû¸£¸é ±â¸° 1020 ÄÚ¾î´Â ARMÀÇ A77 ¾ÆÅ°ÅØó¸¦ °Ç³× ¶Ù°í A78 ¾ÆÅ°ÅØó¸¦ Àû¿ëÇÒ °ÍÀ̶ó°í ÇÑ´Ù. ¹°·Ð ´Ü¼øÇÑ ¼Ò¹®À» ÀüÇÑ °ÍÀ¸·Î ¼º´ÉÀ» ³íÇϱ⿡´Â ³Ê¹« À̸¥ °ÍÀ¸·Î º¸ÀδÙ.
´Ù¸¸ ½º³Àµå·¡°ï 855¿¡ ºñÇØ 865°¡ 25% Á¤µµ ¼º´ÉÀÌ °ÈµÇ´Âµ¥ ºñÇØ ±â¸° 1020Àº ÀüÀÛ ±â¸° 990º¸´Ù 50% ÀÌ»ó °·ÂÇÑ ¼º´ÉÀ» °¡Áú °ÍÀ̶ó´Â Àü¾ð¿¡ ¹Ì·ï »ï¼ºÀüÀÚÀÇ ¿¢½Ã³ë½º ½Ã¸®Áî¿Í »ó´çÇÑ °ÝÂ÷¸¦ ¹ú¸± °ÍÀ¸·Î »ý°¢µÈ´Ù.