◆…사진제공:삼성전자
삼성전자가 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인 가동과 함께 업계 최초로 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 생산한다고 밝혔다.
연면적 12만8900㎡(축구장 16개 크기)에 달하는 세계 최대 규모의 반도체 생산라인으로 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인이다.
지난 5월 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을 착공했으며 6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인까지 착공, 모두 2021년 하반기부터 본격 가동할 예정이다.
평택 2라인은 지난 2018년 8월에 발표한 180조원 투자, 4만 명 고용 계획의 일환으로 평택 1라인에 이어 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행된다. 직접 고용 인력은 약 4천 명, 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만 명 이상의 고용창출이 기대된다.
평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용되었으며 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이다.
지난 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량의 16GB(기가바이트) LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화했다.
기존 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5,500Mb/s)보다 16% 빠른 6,400Mb/s의 동작 속도를 구현, 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB(기가바이트)를 처리할 수 있다.
또한 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩 8개 + 8Gb 칩 4개)대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있어 멀티카메라, 5G 등 부품수가 많은 모바일 제품처럼 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.
삼성전자는 글로벌 스마트폰 업체들에게 차세대 1z 16GB 모바일 D램을 업계 유일하게 제공함으로써 내년 출시되는 AI기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점할 계획이다.
