"KEC, SiC MOSFET 개발 국책과제 성공…사업화 예정"

전력반도체전문기업 KEC가 산업통상자원부 산하 한국산업기술평가관리원으로부터 "전기자동차 및 신재생 에너지용 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 개발 과제에 대해 성공적으로 목표를 달성했으며 사업화 진행 예정"이라는 평가 결과를 받았다고 19일 밝혔다.

이번에 개발된 Trench형 SiC MOSFET은 고밀도 Unit Cell 구조 설계를 적용해 기존 Planar형 대비 스위칭 타임은 최대 40%, 온-저항을 최대 50%까지 낮출 수 있어 전력손실을 저감시킬수 있는 소자로 전기차 배터리의 효율을 높이는 동시에 급속충전 효과를 극대화할 수 있다는 게 KEC의 설명이다.

KEC측은 "최근 전기차 제조업체에선 Planar형에서 Trench형으로 소자 변경 검토가 이뤄지고 있다"고 설명했다.

글로벌 시장조사기관 OMDIA에서 지난해 발행한 SiC 시장조사보고서에 의하면 SiC 시장규모를 2025년 약 4조원 규모로 예측하고 있으며 그 중 자동차 산업 부문에서의 글로벌 SiC 시장은 연평균 28% 수준의 성장을 전망했다.

KEC는 국내 가전 업체에 SiC SBD(Schottky Barrier Diode)를 판매하고 있으며 이번에 개발한 Trench형 MOSFET 기술을 국내외 친환경 자동차, 신재생 에너지 업체와 협력해 적극 사업화를 추진한다는 계획이다.