업계 최초 321단 1Tb TLC 낸드 개발, 내년 상반기 공급 예정
'3-플러그' 공정 기술로 적층 한계 돌파, 성능 및 생산성 대폭 향상
AI 스토리지 시장 공략 가속화, '풀스택 AI 메모리 프로바이더' 목표
◆…SK하이닉스의 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell)* 4D 낸드 플래시.
이번 제품은 업계 최초로 300단을 넘어서는 기록을 세운 차세대 메모리로, 내년 상반기부터 고객사에 공급될 예정이다.
SK하이닉스는 생산 효율을 극대화한 '3-플러그' 공정 기술을 이번 제품에 도입했다. 플러그는 여러 층의 기판을 쌓아 셀을 형성하는 과정에서 수직 구멍을 내는 공정으로, SK하이닉스는 이를 세 번에 걸쳐 진행한 뒤 전기적 연결을 최적화하는 방식을 적용했다. 이 과정에서 저변형 소재를 활용하고 플러그 간 자동 정렬 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다.
또한, 이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단 제품에도 적용해 공정 변화를 최소화했으며, 이를 통해 생산성을 59% 향상시켰다.
321단 낸드는 데이터 전송 속도가 기존 세대 대비 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐으며, 데이터 읽기 전력 효율은 10% 이상 개선됐다. SK하이닉스는 이를 통해 AI 데이터센터 및 온디바이스 AI 등 저전력 고성능이 요구되는 신규 시장에서 경쟁력을 강화할 계획이다.
SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발 담당)은 "321단 낸드 양산 돌입으로 AI 데이터센터용 SSD 등 AI 스토리지 시장에서 유리한 입지를 확보했다"며 "HBM으로 대표되는 D램뿐만 아니라 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 갖춘 '풀스택 AI 메모리 프로바이더'로 도약하겠다"고 밝혔다.
SK하이닉스는 이번 제품을 통해 낸드플래시 시장에서의 기술 리더십을 더욱 공고히 하며, 차세대 데이터 저장장치 수요를 적극적으로 공략할 방침이다.
