시설 18조, R&D 8조원..반도체 16라인 기공
이건희 "글로벌 사업기회 선점해야 성장기회 온다"
삼성전자가 올해 사상 최대 규모인 26조원을 반도체와 LCD 등 시설 및 R&D(연구개발) 분야에 투자키로 하면서 공격경영에 시동을 걸었다.
삼성전자는 17일 경기도 화성캠퍼스(반도체사업장)에서 이건희 회장이 참석한 가운데 비공개로 메모리반도체 16라인 기공식을 한 뒤 반도체 11조원, LCD 5조원 등 전체 시설에 18조원, R&D에 8조원 등 총 26조원 규모의 올해 투자계획을 발표했다.
이 같은 투자는 삼성전자의 연간 투자 규모로는 사상 최대 수준이다.
이 회장은 "현재 세계경제가 불확실하고 경영여건의 변화도 심할 것으로 예상되지만, 이러한 시기에 투자를 더 늘리고 인력도 더 많이 뽑아서 글로벌 사업기회를 선점해야 그룹에도 성장의 기회가 오고 우리 경제도 성장하게 될 것"이라며 과감한 투자확대를 강조했다고 삼성 측은 전했다.
삼성전자는 글로벌 IT(정보기술) 시장의 주도권과 성장동력을 확보하기 위해 반도체 15,16라인과 LCD 8세대 등의 증설 및 신규라인 투자에 집중해 메모리 반도체 분야의 리더십을 확고히 할 계획이다.
삼성전자는 이번 신규라인 투자 등을 통해 올해 반도체 부문에서 3천명, LCD에서 4천명을 포함해 총 1만명 이상의 신규 고용을 창출할 방침이다.
삼성전자 관계자는 "이번 투자 결정은 올 들어 글로벌 IT 경기가 호조를 보이고 있는 상황에서 적극적인 투자로 IT 시장의 주도권을 강화하기 위한 것"이라며 "아울러 글로벌 경기의 불확실성에도 불구하고 대규모 투자를 통해 우리 경제의 성장을 뒷받침하겠다는 의지의 표현이기도 하다"고 말했다.
삼성전자는 이번 투자 결정에 따라 차세대 메모리 제품 생산을 위한 신규 라인(16라인) 건설과 30나노 D램 양산을 위한 15라인 증설을 위해 메모리 반도체 부문의 투자를 애초 계획한 5조5천억원에서 9조원대로 늘리기로 했다.
또 48만평 규모의 화성캠퍼스 가운데 현재 가동 중인 31만평을 제외한 17만평 부지에 들어서는 16라인을 2011년부터 본격적으로 가동해 12인치 웨이퍼로 월 20만장 이상 생산할 예정이다.
삼성전자의 반도체 신규 라인 건설은 2005년 15라인 이후 5년 만이다.
이날 기공식이 열린 16라인에는 완공까지 단계적으로 총 12조원이 투자된다.
삼성전자는 이를 통해 메모리반도체 분야에서 선도적 리더십을 확고히 구축하고, 15라인의 증설을 통해 올해 말까지 30나노급 D램 생산비중을 10% 이상으로 늘려 저전력·고성능 D램 시장의 수요 확대에 대응해 나갈 계획이다.
이와 함께 시스템LSI 부문에서도 45나노 이하 공정을 적용하는 모바일, D-TV 등 SOC 사업과 파운드리 사업 강화를 위해 2조원대 투자를 추진하기로 했다.
삼성전자는 아울러 2011년 이후 대형 LCD TV용 패널 수요 증가에 대비해 총 2조5천억원을 투자해 기판 기준으로 월 7만장 규모의 8세대 LCD 신규 라인(8-2 2단계)을 탕정사업장에 건설하기로 했다.
이번 8세대 신규 라인에 대한 추가 투자 결정으로 삼성전자는 총 4개의 8세대 라인을 확보하게 되고, LCD 부문의 올해 투자 규모가 총 5조원으로 늘어나게 된다.
한편, 삼성전자와 별도로 삼성모바일디스플레이는 충남 탕정에 소재한 디스플레이 단지에 2012년까지 총 2조5천억원을 들여 세계 최대 규모의 AMOLED(유기발광다이오드) 제조 라인을 건설할 계획이다.
이로써 이 회사는 5.5세대(1,300×1,500㎜) AMOLED 기판을 기준으로 월 7만장의 양산체제를 구축하게 되고, AMOLED TV용 패널 생산도 가능해져 AMOLED 대형화의 발판을 마련하게 될 전망이다.
이날 기공식에는 이 회장 외에 이재용 최고운영책임자(COO), 최지성 사장, 권오현 사장(반도체사업부장), 조수인 사장(메모리 담당), 이상훈 사장(사업지원팀장), 윤주화 사장(경영지원실장) 등 사장단과 임직원 500여 명이 참석했다.
