¾ÖÇÃÀÇ Â÷¼¼´ë A9ÇÁ·Î¼¼¼ÀÇ »ý»êÀ» ³õ°í »ï¼ºÀüÀÚ¿Í ´ë¸¸ÀÇ TSMC°¡ °æÀïÀ» ÇÏ°í ÀÖÁö¸¸ »ï¼ºÀüÀÚ¿¡°Ô ½±Áö ¾ÊÀº ½Î¿òÀÌ µÇ°í ÀÖ´Ù´Â ¼Ò½ÄÀÌ´Ù.
´ë¸¸ÀÇ ITÀü¹® µðÁöŸÀÓÁî´Â ´ë¸¸ ÀüÀÚ¾÷°è ¼Ò½ÄÅëÀÇ ÀÔÀ» ºô·Á ¡°»ï¼ºÀüÀÚ°¡ 14nm(³ª³ë¹ÌÅÍ) ÇÉÆÖ(FinFET) °øÁ¤À» Àû¿ë, ³»³âºÎÅÍ »ý»êÇÒ ¿¹Á¤ÀÎ ¾ÖÇÃÀÇ A9 ÇÁ·Î¼¼¼ ¼öÁÖ¸¦ À§ÇØ ³·Àº °¡°ÝÀ» Á¦½ÃÇÏ°í ÀÖ´Ù¡±°í 7ÀÏ º¸µµÇß´Ù.
¶ÇÇÑ ¼Ò½ÄÅëÀº ¡°±×·¸Áö¸¸ »ï¼ºÀüÀÚÀÇ 14nm ÇÉÆÖ °øÁ¤ÀÇ »ý»ê¼öÀ² ¹®Á¦·Î ½ÇÁ¦ ¼öÁÖ¿¡´Â ½ÇÆÐÇÒ °¡´É¼ºÀÌ ³ô´Ù¡±°í µ¡ºÙ¿´´Ù.
ÇÑÆí TSMC´Â ÇöÀç 20nm°øÁ¤¿¡¼ ¾ÆÀÌÆù6¿ë A8ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ »ý»ê ÁßÀÌ¸ç ³»³â¿¡ »ý»êÇÒ A9 Ĩ¼Â ¶ÇÇÑ ÀڽŵéÀÌ ¼öÁÖÇÒ °ÍÀ» È®½ÅÇÏ°í ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
ÀϺΠ¼Ò½ÄÅë¿¡ µû¸£¸é Çö ¾ÆÀÌÆù6¿ë A8ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ »ï¼ºÀüÀÚ¿¡¼µµ 30%°¡·® »ý»êÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁö°í ÀÖÁö¸¸ ´ë¸¸ÀÇ ÀÌ ¼Ò½ÄÅëÀº TSMC°¡ 100% »ý»êÇÏ´Â °ÍÀÌ Æ²¸²¾ø´Ù°í °Á¶Çß´Ù.
´Ù¸¸ ¾ÖÇÃÀº ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ TSMC¿¡ ÀüÀûÀ¸·Î ÀÇÁ¸Çϱ⸦ ²¨¸®°í ÀÖ¾î »ï¼ºÀüÀÚÀÇ ÀϺΠ¼öÁÖ °¡´É¼ºµµ ÀÖÁö¸¸ 16nm ¶Ç´Â 14nm ÇÉÆÖ °øÁ¤ÀÇ º´¸ñÇö»ó(»ý»ê¼öÀ²)À¸·Î ÀÎÇØ ÇöÀç¿Í °°Àº 20nm °øÁ¤À» °í¼öÇÒ °¡´É¼ºµµ ÀÖ´Ù.
¾ÖÇÃÀÌ A9Ĩ¼ÂÀÇ °øÁ¤À» 20nm·Î À¯ÁöÇÒ °æ¿ì »ï¼ºÀüÀÚÀÇ ¼öÁÖ °¡´É¼ºÀº ±×¸¸Å ³·¾ÆÁö°Ô µÈ´Ù´Â °ÍÀ» ÀǹÌÇÑ´Ù°í ¹àÇû´Ù.