¼¼°è ÃÖ´ë ÆÄ¿îµå¸®(¼öŹ»ý»ê) ±â¾÷ÀÎ ´ë¸¸ÀÇ TSMC¿Í »ï¼ºÀüÀÚ°¡ ¹Ì¼¼°¡°ø ±â¼úÀ» ³õ°í Ä¡¿ÇÑ °æÀïÀ» ¹úÀÌ°í ÀÖ´Ù´Â ¼Ò½ÄÀÌ´Ù.
´ë¸¸ÀÇ ITÀü¹® º¸µµ¸ÅüÀÎ µðÁöŸÀÓÁî´Â ¸ð¸®½º â ȸÀåÀÇ ¸»À» Àοë, TSMC ÆÄ¿îµå¸® »ç¾÷ÀÇ Áß¿ä ¿µ¿ªÀ¸·Î ºÎ»óÇÑ 7nm(³ª³ë¹ÌÅÍ, 1nm´Â 10¾ïºÐÀÇ1m) °øÁ¤¿¡¼ »ï¼ºÀüÀÚ°¡ Áß¿ä °æÀïÀÚ°¡ µÉ °ÍÀ̶ó°í 13ÀÏ º¸µµÇß´Ù.
¶ÇÇÑ ±×´Â ¡°±×·¯³ª TSMC´Â ¿©ÀüÈ÷ »ï¼ºÀüÀÚ¿¡ ´ëÇØ ±â¼úÀû ¿ìÀ§¸¦ À¯ÁöÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç µû¶ó¼ 7nm °øÁ¤¿¡¼µµ Áö¹è·ÂÀº °è¼ÓµÉ ¼ö ÀÖÀ» °Í¡±À̶ó°í µ¡ºÙ¿´´Ù.
¶Ç ´Ù¸¥ 7nm°øÁ¤¿¡¼ °æÀïÀ» ¹ú¸®°í ÀÖ´Â ÀÎÅÚ¿¡ ´ëÇؼ´Â ¡°TSMC´Â ÀÎÅÚ°ú ¸Å¿ì Ä£¹ÐÇÑ °ü°è¸¦ À¯ÁöÇϸç Á¦Ç°À» °³¹ßÇØ ¿Ô´Ù¡±¸é¼ ¡°ÀÎÅÚ°ú´Â °æÀïÀÌ ¾Æ´Ñ º¸¿ÏÀû °ü°è¿¡ ÀÖ´Ù¡±°í ¼³¸íÇß´Ù.
Áö³ 5¿ù ¿¸° TSMCÀÇ ¿¬·Ê ±â¼ú Æ÷·³¿¡ Âü¼®ÇÑ ¸¶Å© ¸®¿ì ºÎȸÀåÀº ¡°7nm °øÁ¤ÀÇ »ý»ê¼öÀ²Àº 128MB(¸Þ°¡¹ÙÀÌÆ®) SRAM(S·¥)ÀÇ 30~40% ¼±¿¡ µµ´ÞÇß´Ù¡±¸ç ¡°TSMC´Â 7nm°øÁ¤¿¡¼ ±â¼úÀÎÁõÀ» ȹµæÇÑ ¼¼°è ÃÖÃÊ ±â¾÷ÀÌ µÉ ¼ö ÀÖÀ» °Í¡±À̶ó°í ÁÖÀåÇÑ ¹Ù ÀÖ´Ù.
¸®¿ì´Â TSMC´Â 7nm°øÁ¤ Á¦Ç°À» 2017³â ½ÃÇè»ý»êÇÏ°í 2018³â ¾ç»êüÁ¦¸¦ °®Ãâ °èȹÀ̸ç 10nmÀÇ °æ¿ì ´ë¸¸ ÁߺΠÁ¦15 °øÀå 12ÀÎÄ¡ ¿þÀÌÆÛ 5,6¶óÀο¡¼ ³»³âºÎÅÍ ¾ç»ê¿¡ µé¾î°£´Ù°í ¸»Çß´Ù.
TSMCÀÇ ÁÖÀåÀÌ »ç½ÇÀ̶ó¸é ¿Ã °¡À» Ãâ½Ã¿¹Á¤ÀÎ ¾ÖÇÃÀÇ ¾ÆÀÌÆù7 ½Ã¸®Áî¿¡ žÀçµÉ A10 ÇÁ·Î¼¼¼´Â ÀüÀÛ ¾ÆÀÌÆù6S½Ã¸®ÁîÀÇ A9¿Í µ¿ÀÏÇÑ 16nm °øÁ¤ÀÌ Àû¿ëµÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù.